２次元量子ドットネットワーク構造の創製とそのニューラルネットワーク応用

• Project/Area Number: 25K07817
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: The University of Electro-Communications
• Principal Investigator: 山口 浩一 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (40191225)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2027: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2026: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000); Fiscal Year 2025: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
• Keywords: 量子ドット / 分子線エピタキシー / III-V族半導体 / ニューラルネットワーク

Outline of Research at the Start

本研究では、2025年度において、面内超高密度でかつ高均一なInAsSb/GaAs系量子ドット構造の作製技術を確立する。2026年度では、上記の２次元量子ドットネットワーク構造における隣接量子ドット間での電子的結合状態の実験的検証、２次元面内での電子輸送特性およびキャリアダイナミクスの測定評価を行う。2027年度では、上記の２次元量子ドットネットワーク構造をリザバー層としたリザバーコンピューティングへの応用について検討する。