酸化還元反応を利用した磁性積層膜の界面エンジニアリング

Research Project

Project/Area Number	25K07820
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	Nagoya University
Principal Investigator	大島大輝名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (60736528)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2027: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000) Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000) Fiscal Year 2025: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000)
Keywords	磁性薄膜 / 界面構造 / スピントロニクス
Outline of Research at the Start	電子のスピンを利用するスピントロニクスでは磁性層を含むナノレベルの積層膜が研究の対象となっており、積層膜中の界面構造の制御が重要な課題である。本研究では、強磁性酸化物/非磁性層構造を熱処理した際に強磁性金属層/酸化物層界面が形成される現象を利用し、その界面効果を増大させるための研究を行う。また、種々の材料を用いることも検討し、さまざまな積層系における界面形成手法の確立を目指す。