ホウ素ドープ同位体ダイヤモンド超格子によるホール効果正孔移動度に関する研究

Research Project

Project/Area Number	25K07828
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	渡邊幸志国立研究開発法人産業技術総合研究所, 量子・AI融合技術ビジネス開発グローバル研究センター, 主任研究員 (50392684)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2027: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000) Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Keywords	同位体 / ダイヤモンド / 超格子 / ワイドバンドギャップ半導体 / ホール効果
Outline of Research at the Start	ホウ素をドープした単結晶ダイヤモンドは、次世代のパワーエレクトロニクスデバイスの候補材料として期待されており、特に低電力損失の高電圧ダイオードがその一つとなる。しかし、ホウ素の取込み制御、特に低ホウ素ドープにおいては課題が残されている。本研究では、ダイヤモンドの構成原子である炭素(C)の同位体12Cと13Cを用いたエピタキシャルサンドイッチ超格子を世界で初めて実現している。本課題では、この構造にホウ素ドープして半導体性を持たせた同位体ダイヤモンド超格子からのホール効果正孔移動度に関する同位体効果とダイヤモンドのドーピングの課題に取り取り組み、同位体原子の利用可能性を探求する。