極低温におけるフラッシュメモリの異常SILC生成ダイナミクス観測のための大規模評価

Research Project

Project/Area Number	25K07837
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research Institution	National Institute of Technology, Toyota College
Principal Investigator	熊谷勇喜豊田工業高等専門学校, 電気・電子システム工学科, 准教授 (40824496)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	石川智己広島大学, 半導体産業技術研究所, 特任助教 (70375377)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2027: ¥260,000 (Direct Cost: ¥200,000、Indirect Cost: ¥60,000) Fiscal Year 2026: ¥390,000 (Direct Cost: ¥300,000、Indirect Cost: ¥90,000) Fiscal Year 2025: ¥3,900,000 (Direct Cost: ¥3,000,000、Indirect Cost: ¥900,000)
Keywords	半導体 / フラッシュメモリ / 極低温
Outline of Research at the Start	大規模・低ノイズ量子コンピュータ実現のため，量子ビット制御用集積回路は，絶対零度近い極低温で正確に動作する必要がある。記憶素子であるフラッシュメモリの信頼性を劣化させる，異常ストレス誘起リーク電流（異常SILC）は，微細なテストパターンを大量に評価しないと検出されず研究の機会が少ないが，極低温で大量のデバイスを一つずつ入れ替えて測定するのは現実的でない。そこで大量のデバイスを一度に測定可能な大規模評価回路を極低温にて動作させるシステムを開発する。熱励起の影響を排除した環境では，室温で生じていた複雑な欠陥生成過程が単純な系になることで，これまでにない性質や物理モデルに迫ることを目的とする。