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Development of a technique for rapid low-temperature formation of SiO₂ thin films with thermal oxidation quality on low heat-resistant plastics

Research Project

Project/Area Number 25K07838
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
Research InstitutionHiroshima National College of Maritime Technology

Principal Investigator

酒池 耕平  広島商船高等専門学校, 総合科学科, 准教授 (00740383)

Project Period (FY) 2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2027: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000)
Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Fiscal Year 2025: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
KeywordsSiO2 / 絶縁膜 / 低温プロセス / フレキシブルエレクトロニクス
Outline of Research at the Start

1000℃で形成した熱酸化膜品質に匹敵するSiO2を50℃級の超低温で実現する独自技術を飛躍的に進化させる。具体的には、課題であるウエハインチ級の大面積パーヒドロポリシラザン(PHPS)を、高速(1秒未満)に、かつ熱酸化膜品質に匹敵するSiO2へシリカ転化させる技術の開発に注力し、本技術を量産対応可能な技術へと昇華させる為の技術確立を目指す。

URL: 

Published: 2025-04-17   Modified: 2025-06-20  

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