Development of a technique for rapid low-temperature formation of SiO₂ thin films with thermal oxidation quality on low heat-resistant plastics

• Project/Area Number: 25K07838
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Hiroshima National College of Maritime Technology
• Principal Investigator: 酒池 耕平 広島商船高等専門学校, 総合科学科, 准教授 (00740383)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2027: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000); Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2025: ¥3,250,000 (Direct Cost: ¥2,500,000、Indirect Cost: ¥750,000)
• Keywords: SiO2 / 絶縁膜 / 低温プロセス / フレキシブルエレクトロニクス

Outline of Research at the Start

1000℃で形成した熱酸化膜品質に匹敵するSiO2を50℃級の超低温で実現する独自技術を飛躍的に進化させる。具体的には、課題であるウエハインチ級の大面積パーヒドロポリシラザン(PHPS)を、高速(1秒未満)に、かつ熱酸化膜品質に匹敵するSiO2へシリカ転化させる技術の開発に注力し、本技術を量産対応可能な技術へと昇華させる為の技術確立を目指す。