二次元半導体／絶縁膜界面の電荷生成・移動機構及びバンドアライメントに関する研究

• Project/Area Number: 25K07845
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 西村 知紀 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 技術専門職員 (10396781)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2027: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000); Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2025: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000)
• Keywords: 二次元半導体 / 界面電荷

Outline of Research at the Start

Siデバイスの微細化による性能向上が限界に迫る現在，MoS2等の二次元半導体は単層でも有する高い電気伝導性から代替チャネル材料として注目されている．
しかし応用上不可欠な半導体/ゲート絶縁膜界面のバンドアライメントや電荷生成・移動機構が未解明であることから，本研究ではSiで確立された特性解析手法を応用し二次元半導体/絶縁膜界面の電荷挙動の解明及び制御指針の探索を狙う．
従来困難とされたMOSキャパシタの作成についてはこれまでの成果である低抵抗金属/半導体界面形成技術や大面積転写技術を活用する．
本研究の成果は高誘電率ゲート絶縁膜の選択や界面準位抑制等次世代デバイス開発への貢献が期待される．