4端子縦型チャネルpoly-Ⅳ族TFTから構成されたガラス基板上の異種半導体CMOS回路

• Project/Area Number: 25K07847
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: Tohoku Gakuin University
• Principal Investigator: 原 明人 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 鈴木 仁志 東北学院大学, 工学部, 准教授 (70351319)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2027: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2025: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000)
• Keywords: 薄膜トランジスタ / 縦型チャネル / 4端子 / ガラス / LSI

Outline of Research at the Start

縦型チャネル半導体層の高品質化を実現し、その技術を4T縦型TFT構造に融合することで、4T縦型TFTの基本性能を向上させる。更に、ゲート絶縁膜におけるhigh-k膜やデバイスシミュレーションと融合することで、n-chに対してはSi、 p-chに対してはGeからなるゲート長100 nmの4T縦型poly-Ⅳ族 TFTをガラス基板上で実現する。更に、それらの異種4T縦型poly-Ⅳ族 TFTをガラス基板上に隣接して形成することで、1.0Vで動作するCMOSインバータを実現する。