Reduction of leakage current in GaN-based integrated micro LEDs

• Project/Area Number: 25K07848
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: Kogakuin University
• Principal Investigator: 本田 徹 工学院大学, 先進工学部, 教授 (20251671)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2027: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000); Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2025: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
• Keywords: GaN / LED / ドライエッチング / MBE / 発熱

Outline of Research at the Start

光熱偏向分光法(PDS)による非発光再結合を含めた発熱過程の推定およびフォトルミネッセンス(PL)および透過率測定による発光再結合準位推定および吸収準位推定を行い、結晶中の発光・非発光混在過程を把握する。また、熱拡散速度差を利用した励起光周波数依存性を利用した結晶中発熱再結合準位と表面再結合(非発光準位)の分離の方法を明らかにする。また、表面リークパスなどによる発熱過程を第一義に低減する必要があるため、顕微サーマルカメラ(既設)を用いた観測を行う。この知見を利用して、超小型マイクロLED集積のプロセスを検討し、高効率化を図る。