Development of flexible oxide semiconductor integration technology using by roll-to-roll atomic oxygen assisted MBE

• Project/Area Number: 25K07863
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: University of Yamanashi
• Principal Investigator: 村中 司 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (20374788)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 鍋谷 暢一 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (30283196)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥3,770,000 (Direct Cost: ¥2,900,000、Indirect Cost: ¥870,000); Fiscal Year 2027: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000); Fiscal Year 2026: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
• Keywords: 酸化亜鉛半導体/ZnO / 分子線エピタキシー法/MBE / ロール・ツー・ロール方式/RTR

Outline of Research at the Start

本研究は、人体に無害で低温成膜が可能、電気伝導性に優れている性質を有する酸化亜鉛(ZnO)系半導体材料に着目して分子線エピタキシー法と原子状酸素ラジカル照射プロセスを利用した低損傷・低温成長が可能な独自のバッチおよびロール・ツー・ロール (RTR)式成膜プロセスを用いて、フレキシブル電子デバイスに応用可能なZnO系半導体デバイスならびにその集積化技術の開発を目指すものである。