THz全反射減衰法による配向規制力を受けた液晶の吸収特性の評価

Research Project

Project/Area Number	25K07866
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	Akita Prefectural University
Principal Investigator	伊東良太秋田県立大学, システム科学技術学部, 准教授 (20433146)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2027: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000) Fiscal Year 2026: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000) Fiscal Year 2025: ¥2,990,000 (Direct Cost: ¥2,300,000、Indirect Cost: ¥690,000)
Keywords	テラヘルツ波 / 液晶
Outline of Research at the Start	THz波を用いた次世代の大容量通信の実現には、ビームフォーミング技術の確立が不可欠である。液晶は、電圧応答性が高く、THz波の位相を制御できる有望な材料であるが、THz帯での吸収が大きいという課題がある。本研究は、液晶分子と基板界面の相互作用に着目し、この吸収問題の解決を目指す。具体的には、全反射減衰法を用いて、界面近傍の液晶分子をターゲットにTHz波吸収特性を詳細に解析し、配向規制力がTHz吸収に与える影響を明らかにする。これにより、THz帯での液晶の吸収を抑制し、高性能なTHzビームフォーミングデバイスの実現に貢献する。