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N極性窒化物半導体成長技術を用いた高速サブバンド間遷移不揮発性メモリの高性能化

Research Project

Project/Area Number 25K07872
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Review Section Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research InstitutionNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Principal Investigator

永瀬 成範  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (80399500)

Project Period (FY) 2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2027: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Keywords窒化物半導体 / 量子井戸 / トンネル現象 / サブバンド間遷移 / 超高速情報処理
Outline of Research at the Start

窒化ガリウム系共鳴トンネルダイオードでのフェムト秒オーダーの共鳴トンネル及びサブバンド間遷移現象を用いることで、SRAM(最高速の揮発性メモリ)と同等な高速性を持つ不揮発性メモリの実現を期待できる。これまでに、高速パルスを用いたスイッチング特性評価などから、メモリ動作原理の実証に成功している。しかし、このメモリの実現のためには、メモリの書き換え耐性の改善と微細化が不可欠である。本研究課題では、N極性窒化物半導体成長技術によるメモリ書き換え耐性の改善とメモリ微細化による低消費電力化を実現することを目標とする。これより、低消費電力で超高速動作が可能な不揮発性メモリの実現を目指す。

URL: 

Published: 2025-04-17   Modified: 2025-06-20  

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