流動性を有する共晶合金の準安定相に関する研究と溶液成長likeな固相成長への応用

• Project/Area Number: 25K08260
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 26010:Metallic material properties-related
• Research Institution: Shibaura Institute of Technology
• Principal Investigator: 弓野 健太郎 芝浦工業大学, 工学部, 教授 (40251467)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2027: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2025: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
• Keywords: 半導体 / 薄膜 / 結晶成長

Outline of Research at the Start

金属触媒を用いた半導体薄膜の低温結晶化は金属誘起結晶化として知られており、フレキシブルデバイス等の作製プロセスへの利用が期待されている。申請者らは、結晶化の過程において、流動性を有するような結晶相の存在を示唆する実験結果を得ており、これが低温成長を促しているのではないかと考えている。本研究では、この流動性の起源を含めた金属誘起結晶化の機構を解明し、低温結晶化プロセスの基盤技術を確立することを目的とする。