六方晶窒化ホウ素の単原子層界面における分子軌道を介した電子物性の制御

Research Project

Project/Area Number	25K08418
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 28030:Nanomaterials-related
Research Institution	Hiroshima University
Principal Investigator	沢田正博広島大学, 放射光科学研究所, 准教授 (00335697)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000) Fiscal Year 2027: ¥390,000 (Direct Cost: ¥300,000、Indirect Cost: ¥90,000) Fiscal Year 2026: ¥520,000 (Direct Cost: ¥400,000、Indirect Cost: ¥120,000) Fiscal Year 2025: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Keywords	単原子層
Outline of Research at the Start	本研究では、単層の六方晶窒化ホウ素(h-BN)を舞台とする単原子界面エンジニアリングを展開して、界面における弾性歪み導入や化学結合の制御を利用した機能性発現を試みる。h-BN単層膜は、ホウ素と窒素が交互に配列して化学結合により網の目状に連なったハニカム構造の単原子膜であり、この単原子膜の上面と下面には他の物質の結晶配列を接合させることができる。上面と下面の接合構造を制御することにより、電荷移動や化学結合を発現することができるので、デバイス応用等に活用可能な機能性を発現できることが期待される。本研究では、h-BN単層膜を介した機能性発現を実験的に確認してその原理を明らかにする。