分子吸着による2次元物質MoTe2を用いた相変化メモリデバイスの動作制御の検討

Research Project

Project/Area Number	25K08429
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 28030:Nanomaterials-related
Research Institution	防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群)
Principal Investigator	石黒康志防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 講師 (20833114)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2027: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2025: ¥2,730,000 (Direct Cost: ¥2,100,000、Indirect Cost: ¥630,000)
Keywords	2次元物質 / 遷移金属カルコゲナイド / MoTe2 / 分子吸着 / メモリデバイス
Outline of Research at the Start	「2次元物質」の1つであるMoTe2 は、低エネルギーで相転移が生じ、電気抵抗が大きく変化することから相変化を利用したメモリデバイスへの応用が注目されている。しかしながら、「2次元物質」の特徴の一つである表面吸着分子との相互作用に関して、MoTe2の相変化メモリ動作に及ぼす影響を実験で調べた例はない。本研究で初めてMoTe2表面に水素ガスを吸着させたときの相変化メモリ動作を明らかにする。この分子吸着を用いた相変化メモリ動作制御が実現すれば、従来の層数や欠陥制御の手法に比べてメモリ動作を容易に制御できる新たな手法として、「2次元物質」を用いたメモリデバイスの実用化に貢献できることが期待される。