デバイス界面構造の解明に基づく化合物半導体イオントロニクスの開拓

• Project/Area Number: 25K08461
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 29010:Applied physical properties-related
• Research Institution: Toyama Prefectural University
• Principal Investigator: 清水 直 富山県立大学, 工学部, 准教授 (60595932)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2027: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2026: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2025: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
• Keywords: 化合物半導体 / 電界効果 / 電気二重層 / イオントロニクス

Outline of Research at the Start

従来の半導体エレクトロニクスでは困難な新電子機能の創出を目指し、イオンの動きによりデバイス動作を制御するイオントロニクスの研究が加速している。超低消費電力デバイスや人工シナプス素子等の開発へ向け、イオンゲート型トランジスタのチャネル材料の探索は重要な課題の一つである。本研究では、実験室でのデバイス作製から電気特性評価、表界面観察、そして大型放射光施設での物性測定までを行い、化合物半導体をチャネル材料とするイオンゲート型トランジスタの開発を進める。これまでの研究代表者の研究で得られた知見を基に、化合物半導体イオントロニクスの研究基盤の構築を目指す。