半導体基板上における黒リン構造ビスマス層状物質の電子状態制御

• Project/Area Number: 25K08470
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
• Research Institution: Institute of Science Tokyo
• Principal Investigator: 中辻 寛 東京科学大学, 物質理工学院, 准教授 (80311629)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000); Fiscal Year 2027: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2026: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2025: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
• Keywords: 表面・界面物性

Outline of Research at the Start

ビスマスの層状物質である黒リン構造のBi(110)超薄膜は、キャリアドープや格子歪みに依存してスピン偏極電子状態を持つことが予測され、スピントロニクスデバイスへの応用の観点からも興味深い物質である。本研究ではこれをシリコンやゲルマニウム基板上に作製し、基板ドーピング、界面の電荷密度、格子歪みの違いによる原子構造と電子状態の変化を系統的に調べることを通して、基板と界面の制御によるBi(110)超薄膜の電子状態制御を可能にするための指針を得る。