Characteristic Improvement of Ga2O3 Devices by Controlling Interface Defects

Research Project

Project/Area Number	25K08480
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	National Institute for Materials Science
Principal Investigator	山下良之国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 (00302638)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2027: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000) Fiscal Year 2026: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2025: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
Keywords	Ga2O3 / 界面 / 欠陥
Outline of Research at the Start	Ga2O3をデバイスとして用いる際、金属/Ga2O3構造、絶縁膜/Ga2O3構造を形成する必要があるが、それらの界面に形成される界面欠陥はデバイス特性に悪影響を及ぼすにもかかわらず、その原子構造が明らかになっていない. 界面欠陥の原子構造が明らかになれば、界面欠陥の消去・削減手法の開発が可能となり、特性の良いデバイスの作製が可能となる. 本研究では、オペランド光電子分光法、角度分解光電子分光法、広域X線吸収微細構造法、密度汎関数法を用いることにより、界面に形成された界面欠陥の原子構造を明らかにし、界面を制御することにより特性の良いデバイス開発を行う事を目的とする.