多波長ラマン分光によるAlGaN系HEMTの界面に着目したフォノン解析及び制御

Research Project

Project/Area Number	25K08490
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research Institution	Chiba University
Principal Investigator	MA BEI 千葉大学, 大学院工学研究院, 助教 (90718420)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000) Fiscal Year 2027: ¥130,000 (Direct Cost: ¥100,000、Indirect Cost: ¥30,000) Fiscal Year 2026: ¥390,000 (Direct Cost: ¥300,000、Indirect Cost: ¥90,000) Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Keywords	ラマン / 電子デバイス
Outline of Research at the Start	AIがますます社会に浸透していくにつれ、半導体の需要は大幅に増加すると予想されている。現在のパワーデバイスの更なる省エネ・高性能化が強く求められている。そのために，次世代パワーデバイスの低損失化は鍵となる技術である。デバイス内部からの熱エネルギー排除と再利用は，デバイス性能向上に留まらず，莫大な消費電力の削減も可能にする。しかし，デバイス内部ヘテロ界面での熱伝播の物理モデルが明らかにされていない。本研究では，多波長ラマン分光法を用いて，パワーデバイスの二次元電子ガスがヘテロ界面における熱輸送，転移欠陥が高温時において熱輸送へ影響メガニズムを明らかにすることを目指す。