結晶性酸化膜／半導体ヘテロ接合による量子積層構造と高周波発振素子への展開

• Project/Area Number: 25K08491
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 30010:Crystal engineering-related
• Research Institution: The University of Electro-Communications
• Principal Investigator: 塚本 貴広 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 准教授 (50640942)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2027: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000); Fiscal Year 2026: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000); Fiscal Year 2025: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
• Keywords: 結晶性酸化膜

Outline of Research at the Start

情報量の増大や無線通信における周波数ひっ迫問題において、ミリ波帯（30-300 GHz）の高い周波数の利用が求められている。低コストなⅣ族半導体により構成されたミリ波デバイスの開発が求められているが、低いバンドオフセット（0.2 eV程度）がボトルネックとなっていた。近年、デジタルDCスパッタ法により、基板垂直方向に結晶がそろった（1軸配向した）結晶性酸化膜の形成が可能となった。本研究では、独自に開発してきたスパッタエピタキシー法とデジタルDCスパッタ法を新規に組み合わせることでⅣ族半導体上に結晶性酸化膜を形成し、結晶性酸化膜／Ⅳ族半導体量子積層構造への応用を試みる。