Realization of emission in 185 nm spectral range by monolayer and submonolayer rocksalt structured ZnO/MgO superlattice

Research Project

Project/Area Number	25K08495
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research Institution	Kogakuin University
Principal Investigator	尾沼猛儀工学院大学, 先進工学部, 教授 (10375420)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000) Fiscal Year 2027: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2026: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000) Fiscal Year 2025: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000)
Keywords	超ワイドギャップ半導体 / 酸化物半導体 / 超薄膜周期構造 / ミスト化学気相堆積法 / 真空深紫外発光
Outline of Research at the Start	「水銀に関する水俣条約」により、低圧水銀灯の代替光源の開発が急務となっている。254 nmは深紫外(DUV) LEDにより代替が進んだ。一方、185 nmの代替への取り組みが求められる。本研究では、代表者がこれまでに培ったミスト化学気相堆積(ミストCVD)法による成膜技術と、独自に開発した真空・深紫外分光システムを駆使し、超ワイドバンドギャップ酸化物半導体における超薄膜形成技術を確立する。170 nmから200 nm帯の真空紫外 (VUV)、DUV域での発光を実現し、低圧水銀灯の185 nmの代替への道筋を示したい。