Non-radiative relaxation of careers into defect states in group-III nitrides

Research Project

Project/Area Number	25K08496
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30010:Crystal engineering-related
Research Institution	Kogakuin University
Principal Investigator	屋山巴工学院大学, 先進工学部, 准教授 (10741514)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2027: ¥390,000 (Direct Cost: ¥300,000、Indirect Cost: ¥90,000) Fiscal Year 2026: ¥780,000 (Direct Cost: ¥600,000、Indirect Cost: ¥180,000) Fiscal Year 2025: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
Keywords	窒化物半導体 / 宇宙材料 / 時間依存密度汎関数理論 / 量子力学
Outline of Research at the Start	III族窒化物半導体において、高濃度ドープによる置換型欠陥の生成、および宇宙機器として宇宙線に曝露することによる欠陥の生成は、半導体機器におけるキャリアの運動に影響を及ぼし、機器の性能に直結することから、これらの欠陥の影響を調べることが重要である。本研究では、時間依存密度汎関数理論(TDDFT)を用いることにより、励起状態における電子状態をあらわに求め、欠陥によるキャリア散乱過程を解明する。