局所静電プロセッシングによる材料凸融液の一軸引上成長法の開拓と自己修復結晶の創製

• Project/Area Number: 25K08497
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 30010:Crystal engineering-related
• Research Institution: National Institute of Technology (KOSEN), Suzuka College
• Principal Investigator: 西村 高志 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (10757248)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2028: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2027: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2026: ¥910,000 (Direct Cost: ¥700,000、Indirect Cost: ¥210,000); Fiscal Year 2025: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
• Keywords: 局所静電プロセッシング / ナノニードル結晶

Outline of Research at the Start

本研究では膨張率が負の金属融液にて材料局所静電プロセッシングは可能か，電界強度や材料の結晶性，形状などの影響を受けてどのように結晶成長が進むのか，学理の開拓を目指す．また膨張率が正のシリコン材料での局所静電プロセッシングにて基板結晶方位と成長する微結晶構造の相関も解明する．さらに強電界分極場による原子拡散現象を利用して自己修復可能なナノニードル結晶の創製，その電子線源への応用に挑戦する．