大気開放型CVD法により精密制御されたCdZnS窓層による化合物太陽電池高効率化

Research Project

Project/Area Number	25K08519
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 30020:Optical engineering and photon science-related
Research Institution	Kisarazu National College of Technology
Principal Investigator	栗本祐司木更津工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授 (80775354)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	岡本保木更津工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授 (80233378)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2028-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000) Fiscal Year 2027: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000) Fiscal Year 2026: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000) Fiscal Year 2025: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Keywords	カルコゲナイド系太陽電池 / バッファ層 / CdTe / CdZnS
Outline of Research at the Start	従来的な成膜法である溶液成長法でCdZnSを作製した場合膜中のCdとZnを任意の割合で制御することは極めて困難で、CdZnS物性の精密なチューニングが出来ず高効率化の妨げとなっていた。我々が開発を進めてきた大気開放型CVD法を用いれば前記CdとZnの任意割合での制御が可能なことが明らかになった。上記「大気開放型CVD法」を用いて作製したCdZnS混晶膜をバッファ層に適用したCdTe太陽電池セルを作製し、同膜のCdとZnの割合を精密に制御し前記バッファ層伝導帯端と光吸収層のそれの間の電位障壁を最適化し特に好ましいとされる弱スパイク型にチューニングすることで同太陽電池の高効率化に挑む。