スピンとイオンと電子のダイナミクスを用いる高性能人工知能デバイスの創出

• Project/Area Number: 25K17658
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: 並木 航 国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 研究員 (60932332)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000); Fiscal Year 2026: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000); Fiscal Year 2025: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000)
• Keywords: リザバーコンピューティング / 全固体デバイス / スピン波 / 固体電解質 / その場制御

Outline of Research at the Start

次世代のスマート社会(Society5.0)において、限られた動作環境で高効率に情報処理できる人工知能デバイスが不可欠となる。これを実現するために、本研究では研究代表者が実現した「非線形干渉したスピン波を用いる人工知能デバイス」と「イオンの輸送を利用して磁性を制御するデバイス」を融合し、スピンとイオンと電子のダイナミクスを連結して小型かつ高性能な人工知能デバイスを創製するものである。