Ultra-high-resolution charge density imaging of semiconductor defects

• Project/Area Number: 25K17817
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 26010:Metallic material properties-related
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 遠山 慧子 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (90996381)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000); Fiscal Year 2027: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2026: ¥1,560,000 (Direct Cost: ¥1,200,000、Indirect Cost: ¥360,000); Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
• Keywords: 走査透過電子顕微鏡 / 半導体

Outline of Research at the Start

本研究は、電子顕微鏡を用いて半導体中の結晶欠陥における電荷分布をナノメートルスケールで観察する新しい方法を開発するものである。従来は、結晶欠陥が半導体デバイスに与える影響はマクロな測定からの推測に留まっていたが、本手法により欠陥周辺の電荷状態を定量的かつ高分解能で直接測定することが可能となる。これにより、半導体デバイスの特性を根本から理解し、将来的に高性能な電子機器の開発へとつながることが期待される。