Ferroelectric Domain Engineering via Localized Thermal Stimuli for Optical Memory Applications

• Project/Area Number: 25K17827
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 26020:Inorganic materials and properties-related
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 近藤 真矢 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (20890205)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000); Fiscal Year 2026: ¥1,430,000 (Direct Cost: ¥1,100,000、Indirect Cost: ¥330,000); Fiscal Year 2025: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
• Keywords: 強誘電体薄膜 / 電気光学効果 / ドメイン / 光メモリスタ

Outline of Research at the Start

情報通信分野における消費電力を抜本的に削減することが重要な課題となっており、生体の脳や神経機能を模倣した光メモリスタの開発が期待されている。そこで、メモリの書き込みと読み出しを光学的に制御し、外部刺激に対して多種多様な出力特性や高度な機能を持つ光メモリスタの実現が期待されている。本研究では、外部からの光刺激で、強誘電体のドメイン構造を選択的に制御し、多端子型光メモリスタの動作の実現を目指す。