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半導体基板上近藤格子における純粋な二次元重い電子状態の実現

Research Project

Project/Area Number 25K17949
Research Category

Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

Allocation TypeMulti-year Fund
Review Section Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research InstitutionThe University of Osaka

Principal Investigator

中村 拓人  大阪大学, 大学院生命機能研究科, 助教 (60907848)

Project Period (FY) 2025-04-01 – 2027-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help
¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000)
Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000)
Fiscal Year 2025: ¥3,120,000 (Direct Cost: ¥2,400,000、Indirect Cost: ¥720,000)
Keywords角度分解光電子分光 / 重い電子状態 / 単原子層物質 / 表面物性
Outline of Research at the Start

本研究では、申請者らが開拓してきた金属単結晶基板上の単原子層二次元重い電子系物質を半導体基板上に実現することで、完全二次元の「単原子層重い電子系」を作り出し、そこで現れる非BCS 超伝導などの強い電子相関を起源とした低次元量子臨界物性を開拓する。放射光角度分解光電子分光により重い準粒子の振る舞いを直接観測することで、基板から独立した純粋な二次元重い電子の挙動および、そこで発現する特異な電子物性を実証する。本研究により、強相関単原子層物質における低次元量子臨界現象を実証し、低次元系および強相関電子系の研究分野の更なる発展に寄与することを目指す。

URL: 

Published: 2025-04-17   Modified: 2025-06-20  

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