非線形光学・偏光光学に基づくc軸配向窒化物スパッタ膜の配向性評価法の確立

Research Project

Project/Area Number	25K17970
Research Category	Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Allocation Type	Multi-year Fund
Review Section	Basic Section 30020:Optical engineering and photon science-related
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	市川卓人国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (41005201)
Project Period (FY)	2025-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help	¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000) Fiscal Year 2026: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000) Fiscal Year 2025: ¥3,120,000 (Direct Cost: ¥2,400,000、Indirect Cost: ¥720,000)
Keywords	フェムト秒レーザー / 窒化物スパッタ膜 / 第二高調波発生
Outline of Research at the Start	圧電RFフィルター材料として普及している窒化物(GaNやAlN)スパッタ膜は，低温成膜や組成の高い自由度といったスパッタリングの特徴を活かすことにより，近年は圧電性能向上や強誘電性の発現などにも成功している．これらの性能に結びつく結晶性の評価技術が重要であるが，結晶構造を反映して生じる2次の非線形光学現象の観察は，特に大面積の薄膜の非破壊評価に有効であるにも関わらず，窒化物スパッタ膜の評価としては未だ実現されていない．本研究では，非線形光学・偏光光学に基づいて窒化物スパッタ膜の2次の非線形光学現象の観察における課題を解決し，c軸配向窒化物スパッタ膜の配向性評価法の確立を目指す．