含硫黄配位高分子を基盤とした半導体ソフトマテリアルの開発

• Project/Area Number: 25K18054
• Research Category: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Review Section: Basic Section 34010:Inorganic/coordination chemistry-related
• Research Institution: Kwansei Gakuin University
• Principal Investigator: 秋吉 亮平 関西学院大学, 理学部, 助教 (00907537)
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000); Fiscal Year 2027: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000); Fiscal Year 2026: ¥1,170,000 (Direct Cost: ¥900,000、Indirect Cost: ¥270,000); Fiscal Year 2025: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,000,000、Indirect Cost: ¥300,000)
• Keywords: 配位高分子 / 半導体特性 / 相転移 / 弾性 / 液晶

Outline of Research at the Start

本研究では、柔軟な骨格を有する含硫黄配位子を用いて、配位高分子骨格を構築することで、低次元無機半導体骨格に基づいた優れた半導体特性と柔軟な有機骨格に由来する構造柔軟性の両方を兼ね備えた革新的な半導体材料を創成する。更に、得られた含硫黄半導体配位高分子を物質基盤として、フレキシブル半導体デバイスの作製を行う。