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Development of Ultra-Low Power Multiferroic Memory Using Electric-Field Induced Magnetization Reversal

Research Project

Project/Area Number 25KF0032
Research Category

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Allocation TypeMulti-year Fund
Section外国
Review Section Basic Section 26020:Inorganic materials and properties-related
Research InstitutionInstitute of Science Tokyo

Principal Investigator

東 正樹  東京科学大学, 総合研究院, 教授 (40273510)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) LEE KOOMOK  東京科学大学, 総合研究院, 外国人特別研究員
Project Period (FY) 2025-04-01 – 2027-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 2026: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 2025: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Outline of Research at the Start

室温で強誘電性と弱強磁性を併せ持つマルチフェロイック特性を示すCo置換BiFeO3(BFCO)は、電場印加による磁化反転を制御することで書き込み時の消費電力を限りなく抑えられる超低消費電力不揮発性磁気メモリの実現が期待できる。本研究ではBFCOメモリデバイス構造を試作し、電場印加磁化反転の電気的検出を目指す。また、強いスピン軌道相互作用を持つ4d-5d遷移金属元素でFeを置換することで、BFCOを上回る磁化を持つ新しいBiFeO3(BFO)系材料の探索を実施する。

URL: 

Published: 2025-04-28   Modified: 2025-06-24  

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