全窒化ガリウムパワー統合プラットフォームの開発に関する研究

• Project/Area Number: 25KF0043
• Research Category: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 外国
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 本田 善央 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60362274)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): LU SHUN 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 外国人特別研究員
• Project Period (FY): 2025-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000); Fiscal Year 2026: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000); Fiscal Year 2025: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)

Outline of Research at the Start

本研究では、GaNのみで構成される「All-GaNパワー統合プラットフォーム」の構築を目指す。従来のGaNとSiのハイブリッド接続では、Si基板がデバイス性能を一部制限していた。そこでGaN基板上にパワーデバイスと駆動回路を連続的かつ一体的に集積し、高性能化と小型化を同時に実現する。GaNは、電気自動車向けインバータや5G/6G基地局などの高周波・高出力用途に加え、宇宙空間や原子力分野といった過酷環境下での動作も可能である。高オン電流・高耐圧なGaNパワーデバイス、GaN駆動回路の開発、それらの統合プロセスの確立、さらにパッケージ化と動作評価を通じて、実用化に向けた基盤技術を確立する。