| Project/Area Number |
26287068
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Partial Multi-year Fund |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Condensed matter physics I
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| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
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Principal Investigator |
Suzuki Kyoichi 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (20393770)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
入江 宏 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 研究主任 (20646856)
小野満 恒二 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (30350466)
村木 康二 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 上席特別研究員 (90393769)
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| Research Collaborator |
Francois Couedo 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所・量子電子物性研究部, リサーチアソシエイト
AKIHO Takafumi 日本電信電話株式会社, NTT物性科学基礎研究所・量子電子物性研究部, 研究員 (50786978)
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| Project Period (FY) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2016)
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| Budget Amount *help |
¥18,070,000 (Direct Cost: ¥13,900,000、Indirect Cost: ¥4,170,000)
Fiscal Year 2016: ¥260,000 (Direct Cost: ¥200,000、Indirect Cost: ¥60,000)
Fiscal Year 2015: ¥650,000 (Direct Cost: ¥500,000、Indirect Cost: ¥150,000)
Fiscal Year 2014: ¥17,160,000 (Direct Cost: ¥13,200,000、Indirect Cost: ¥3,960,000)
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| Keywords | トポロジカル絶縁体 / 半導体ヘテロ構造 / 量子スピンホール効果 / 量子化伝導 / 半導体物性 / 超薄膜 / 物性実験 / スピンエレクトロニクス / 量子井戸 / 半導体へテロ構造 |
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| Outline of Final Research Achievements |
We have realized topological insulator (TI)-semimetal transition in InAs/GaSb semiconductor heterostructures by applying back and front gate voltages. In addition, we have succeeded in detecting the conductance very close to the quantized value using the sample with a specialized shape and an electrode arrangement. In InAs/InGaSb heterostructures instead of GaSb, we have observed the energy gap larger than the room temperature.
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