• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to previous page

Determination of formation energy of single vacancy in silicon by means of rapir queching of high-temperature thermal euilibrium

Research Project

Project/Area Number 26390055
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Research Field Crystal engineering
Research InstitutionKyushu Institute of Technology

Principal Investigator

Kaneta Hiroshi  九州工業大学, 大学院生命体工学研究科, 特任教授 (30418131)

Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) NEMOTO Yuichi  新潟大学, 自然科学系, 准教授 (10303174)
GOTO Terutaka  新潟大学, フェロー (60134053)
Project Period (FY) 2014-04-01 – 2018-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2017)
Budget Amount *help
¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000)
Fiscal Year 2016: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2015: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2014: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Keywordsシリコン / 原子空孔 / 形成エネルギー / 急冷凍結法 / RTA
Outline of Final Research Achievements

The silicon wafers were annealed at high-temperatures, to successfully realize the thermal equilibrium of defects in the silicon wafers. The wafers were then quenched. The concentrations of the quenched-in vacancies were determined by means of the low-temperature ultrasonic measurement for the softening of the elastic constant C44. By applying our theory of low-temperature elastic softening to the measured softening, we determined the concentration of quenched-in vacancies. Using these values, we evaluated the formation energy of the vacancy. The obtained value for the formation energy was smaller than expected from the conventional knowledge. We however clarified the reason for the disagreement: imperfect quenching with insufficient cooling rate and neglect of the out-diffusion of the vacancies. We conclude that our experimental approach will allow us to derive the accurate value of the vacancy’s formation energy, if these inappropriate procedures in the experiment will be corrected.

Report

(5 results)
  • 2017 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2016 Research-status Report
  • 2015 Research-status Report
  • 2014 Research-status Report
  • Research Products

    (12 results)

All 2018 2017 2016 2015 2014

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (10 results) Book (1 results)

  • [Journal Article] Absolute value determination of vacancy concentration in silicon crystals using low-temperature ultrasonic measurements2014

    • Author(s)
      Hiroshi Yamada-Kaneta, K. Okabe, M. Akatsu, S. Baba, K. Mitsumoto, Y. Nemoto, T. Goto, H. Saito, K. Kashima, Y. Saito
    • Journal Title

      ECS Transactions

      Volume: 64 Pages: 13-18

    • Related Report
      2014 Research-status Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 急冷凍結したシリコンウェーハ中の高温熱平衡原子空孔の低温超音波法のよる濃度測定2018

    • Author(s)
      金田寛、根本祐一、赤津光洋、三本啓輔
    • Organizer
      応用物理学会 2018年春季学術講演会
    • Related Report
      2017 Annual Research Report
  • [Presentation] 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価:2017

    • Author(s)
      金田寛、米澤英晃、大村一郎
    • Organizer
      応用物理学会 2017年秋季学術講演会
    • Related Report
      2017 Annual Research Report
  • [Presentation] シリコンウェーハにおける自由キャリアのバルク・表面再結合拡散モデル: I. 厳密解とバルクライフタイム評価2017

    • Author(s)
      金田寛、大村一郎
    • Organizer
      応用物理学会 2017年秋季学術講演会
    • Related Report
      2017 Annual Research Report
  • [Presentation] シリコンウェーハにおける自由キャリアのバルク・表面再結合拡散モデル: II.キャリア濃度分布2017

    • Author(s)
      金田寛、米澤英晃、大村一郎
    • Organizer
      応用物理学会 2017年秋季
    • Related Report
      2017 Annual Research Report
  • [Presentation] 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価: 赤外レーザビーム屈折の理論2016

    • Author(s)
      ○金田 寛1、大村 一郎1 (1.九工大院工)
    • Organizer
      応用物理学会 2016年 春季大会
    • Place of Presentation
      東京工業大学大岡山キャンパス
    • Year and Date
      2016-03-19
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価: 装置構成と平行デュアルビームの実現2016

    • Author(s)
      ○金田 寛1、大村 一郎1 (1.九工大院工)
    • Organizer
      応用物理学会 2016年 春季大会
    • Place of Presentation
      東京工業大学大岡山キャンパス
    • Year and Date
      2016-03-19
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] 新原理に基づくシリコンウェーハのバルク自由キャリア寿命評技術2015

    • Author(s)
      ○金田 寛1、大村 一郎1 (1.九工大院工)
    • Organizer
      結晶成長国内会議(結晶成長学会),
    • Place of Presentation
      北海道大学
    • Year and Date
      2015-09-19
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] レーザビーム屈折を用いた自由キャリアのバルク寿命評価: I. 原理実証2015

    • Author(s)
      ○金田 寛1、大村 一郎1 (1.九工大院工)
    • Organizer
      応用物理学会 2015年 秋季大会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] レーザビーム屈折を用いた自由キャリアのバルク寿命評価: II. 評価装置と測定例2015

    • Author(s)
      ○金田 寛1、大村 一郎1 (1.九工大院工)
    • Organizer
      応用物理学会 2015年 秋季大会
    • Place of Presentation
      名古屋国際会議場
    • Year and Date
      2015-09-13
    • Related Report
      2015 Research-status Report
  • [Presentation] Absolute value determination of vacancy concentration in silicon crystals using low-temperature ultrasonic measurements2014

    • Author(s)
      Hiroshi Yamada-Kaneta, K. Okabe, M. Akatsu, S. Baba, K. Mitsumoto, Y. Nemoto, T. Goto, H. Saito, K. Kashima, Y. Saito
    • Organizer
      2014 ECS and SMQD Joint International Meeting
    • Place of Presentation
      Moon Palace Resort, Cancun, Mexico
    • Year and Date
      2014-10-05 – 2014-10-10
    • Related Report
      2014 Research-status Report
  • [Book] シリコン結晶技術 第5章 5.3.7節2015

    • Author(s)
      金田 寛
    • Total Pages
      5
    • Publisher
      日本学術振興会第145委員会 技術の伝承プロジェクト編集委員会
    • Related Report
      2014 Research-status Report

URL: 

Published: 2014-04-04   Modified: 2019-03-29  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi