| Project/Area Number |
59430013
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
金属材料(含表面処理・腐食防食)
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
増本 健 東北大, 金属材料研究所, 教授 (20005854)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木村 久道 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (00161571)
青木 清 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (70124542)
井上 明久 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (10108566)
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| Project Period (FY) |
1984 – 1986
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1986)
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| Budget Amount *help |
¥19,200,000 (Direct Cost: ¥19,200,000)
Fiscal Year 1986: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 1985: ¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
Fiscal Year 1984: ¥16,000,000 (Direct Cost: ¥16,000,000)
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| Keywords | アモルファス金属 / 超微粒子 / 磁性 / 超伝導 / 触媒 / スパッタ |
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| Research Abstract |
本年度は、アモルファス金属超微粒子の生成法としてスパッタ法の他に水素又は酸素ガスの吸収法について研究を行なうと共に、アモルファス中に超微粒子Pb,Pb-Biを分散させる方法についても研究を行なった。昭和61年度の研究実績は次の通りである。
1スパッタ法によるFeCoアモルファス超微粒子の磁性(増本)
ポリイミド板上に微細な突起を形成させた後スパッタすることにより1000【A!°】径、アスペクト比4の柱状微粒子を形成させた。Co量の増加とともに磁気異方性が増大し、約1200エルステッドの保磁力を有する垂直磁化膜の作製に成功した。
2スパッタ法による超伝導膜の生成と特性(井上)
ガラス基板上に【Al_2】【O_3】,slN,MgNなどと共にPb,Pb-Biをスパッタさせることにより、約500【A!°】の超微細Pb,Pb-Bi粒子の分散したアモルファス薄膜を得た。この薄膜は高抵抗体であり、高いTcと高い【Hc_2】を有する特異な特性を示す超伝導材料であることを見出した。
3ガス吸収法によるアモルファス超微粒子の生成と特性(青木,木村)
Ib族元素のCu,Ag,AuとZrとの合金を液体急冷してアモルファス化した後、【O_2】又は【H_2】中で加熱することによって超微粒子化すること、また希土類元素とNiとの金属間化合物を【H_2】中加熱することによって超微粒子化することを見出し、これら合金の触媒性を研究した。例えばAu-Zr微粒子はCOガスの水素化反応に対し高活性を示すことを見出した。
以上の本研究により、アモルファス金属超微粒子の生成法,構造,安定性超伝導性,磁性,触媒能などの詳細が明らかにされた。この研究は世界で初めて行われたもので、大きな注目をあつめており、今後も経続して行なう予定である。
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