| Project/Area Number |
60222010
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Special Project Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
堂山 昌男 東京大学, 工, 教授 (40010748)
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| Project Period (FY) |
1985
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1985)
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| Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 1985: ¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
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| Keywords | γ線位置検出器 / 陽電子消滅角度相関法 / 混晶半導体 / 格子欠陥 / シリコン半導体 / GaAs化合物半導体 |
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| Research Abstract |
NaIシンチレータと19本の光電子増倍管を使用した医学用γ線位置検出器を改良し、陽電子消滅角度相関法による混晶半導体の格子欠陥の研究用装置を製作した。医学用γ線位置検出器は、入射γ線の位置とエネルギーのスペクトルを電気信号出力として取り出し得る。そこで、アナログ・デジタル・コンバータを使用し、データ計測用にマイクロコンピュータを使用した。このマイクロコンピュータからは、CAMACデータウェイを通して、データ処理用ミニコンピュータで計測結果を蓄える形式とした。
測定試料部は、クライオミニを使用した低温クライオスタットを製作し、約15Kから室温までの冷却試験を行なった。 テスト用に使用した試料はチョコラスキー法によって引き上げたシリコン単結晶を使用した。この試料に、引き上げによる温度分布及び引き上げ速度の変化により、欠陥領域と通常領域を作成し使用した。この二種類の試料に対しては、77Kでは陽電子消滅エネルギー測定法により欠陥に陽電子が捕捉されていることが示唆されているが、室温では違いがみられなかった試料である。
これに対して、室温でこの二次元角度相関法による測定を行なったところ、欠陥領域では欠陥に捕捉された陽電子による電子密度分布が狭くなり通常領域と明らかな違いが測定された。これは室温においても半導体に対して陽電子が欠陥に対するプローブとして有効であることを示している。
このシリコン半導体単結晶に比較して、GaAs化合物半導体の測定を行なった。GaAsでは、現在の技術によって作成された試料では、すでに多くの欠陥因子があることが初期的な結果として得られた。 以上の結果は半導体製造における多くの欠陥を示し注目されている。
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