| Project/Area Number |
61221008
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Special Project Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
梅野 正義 名古屋工大, 工学部, 教授 (90023077)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
酒井 士郎 名古屋工業大学, 工学部, 助手 (20135411)
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| Project Period (FY) |
1986
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1986)
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| Budget Amount *help |
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 1986: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
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| Keywords | 半導体レーザ / OEIC / 歪超格子 / DH構造 / モード / TJSレーザ |
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| Research Abstract |
Si上に成長したGaAsに半導体レーザが形成できると、Siの電子回路とGaAsのレーザを組み合わせた新しいタイプのOEICが実現できる。我々は世界で初めてSi上レーザの室温パルス発振に成功し、その特性を調べてきた。通常の極ストライプ構造はGaP,GaP/GaAsP歪超格子,GaAsやGaAs歪超格子の中間層の上に通常のDH構造を成長したものである。しきい値電流密度、特性温度は4.9KA,179Kであり、GaAs上のものと比べてそれぞれ6倍,60K程度大きい。しきい値電流はGaAs上のものより劣っているが、最大光出力は両者ともほぼ同じである。これは、Siの熱伝導率がGaAsより大きいためだと考えられる。GaAs上のレーザはTEモードで発振しているが、Si上のレーザは(TE+TM)モードで発振している。次にSi上にTJSレーザを作製した。しきい値電流は、379mAに低下した。基板へのもれ電流が大きいため、中間層とGaAsの間に、高抵抗層を挿入することによって、しきい値電流はさらに低下するものと考えられる。
今後はレーザの構造を最適にし、転位密度を減少させることによって、連続発振も可能であると思われる。
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