積層構造(金属-半導体,絶縁体-半導体)の総合的研究

• Project/Area Number: 61306019
• Research Category: Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Applied materials
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 平木 昭夫 阪大, 工学部, 教授 (50029013)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 田口 常正 大阪大学, 工学部, 講師 (90101279) ; 青木 昌治 東京理科大学, 工学部, 教授 (80010619) ; 高木 俊宜 京都大学, 工学部, 教授 (10025801) ; 安田 幸夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951) ; 長谷川 英機 北海道大学, 工学部, 教授 (60001781)
• Project Period (FY): 1986
• Project Status: Completed (Fiscal Year 1986)
• Budget Amount: ¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000); Fiscal Year 1986: ¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
• Keywords: 積層構造 / 半導体界面

Research Abstract

文部省科学研究費補助金、総合研究(B)「積層構造(金属-半導体,絶縁体-半導体)の総合的研究」は昭和61年度より1ケ年計画で発足した。本研究では、これまで積層構造の研究に個々に従事してきた研究者が、「半導体積層界面構造の作製と評価」を中心課題として結集し、おたがいの研究テーマについて充分な討論を重ね、半導体の新しい界面構造の出現とデバクスへの応用が検討された。それぞれの分担課題の下で行なわれた研究成果は、昭和61年10月と昭和62年2月に開催された研究会で報告され、活発な討論が行なわれた。その結果、特に、金属と半導体積層界面における(【I】)反応の素過程の解明、(【II】)優れた界面の作製技術の開発とその評価、および(【III】)光・電子デバイスへの応用について、今後集中的な研究を行なうことが重要であることが認識された。
したがって、本研究会の成果をもとに、現在、重点領域研究の提案を行なうべく準備を進めており、すでに研究テーマと組織作りは完了した。
また、これらの成果は昭和62年3月第34回応用物理学関係連合シンポジウム「半導体積層構造の作製と評価」にて総合的に報告される予定である。