| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
稲場 文男 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (90006213)
井村 健 広島大学, 工学部, 助教授 (90029223)
張 吉夫 大阪大学, 産業科学研究所, 助教授 (20029846)
伊藤 良一 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (40133102)
針生 尚 東北大学, 工学部, 助教授 (40005301)
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| Research Abstract |
混晶デバイスと新プロセス技術に関して, 以下の成果を得た. GaInAsP/InP有機金属気相エピタキシーの極薄膜制御性の向上を計り, フォトルミネッセンスの半値幅18meV, 明確なX線サテライトピークの現れる良好な多重量子井戸構造を得, さらに量子細線構造レーザを試作し, 初めての発振を得た. プラズマ・アシステド・エピタキシ法によりGaAs及びInP上への(In, Ga)As, GaAS上への(In, Ga)Sb, 水素プラズマ処理後のSi上への(In, Ga)Asなどの低温での成長を確認し, V族, III族の供給比の制御が低温成長では重要であることを明らかにした. III-V族混晶の混合不安定性について, ミッシビリティギャップ内部及び近傍の組成のGaInPAsの液相エピタキシーは, 自由エネルギー局面の特異性のために, 広い組成範囲で格子引き込み現象を示すこと, 成長に伴う混合不安定性の発生の様相を明らかにした. GaAs-AlGaAs MQW非線形導波路の非線形伝搬特性を理論的並びに実験的に明らかにし, 又, GaAs-AlGaAs HEMT構造FET光検出器を試作し, 室温において, 18ps(FWHM), 126Kの低温において13psの高速応答性を得た. 量子井戸構造への電界効果を用い, チャープの少ない光吸収変調器, 低損失の交差型光スイッチを実現する為に検討を行い, 量子井戸構造,素子の動作波長の選択が重要であることを明らかにした. Cl_2-ArおよびCl_2-II_2ガスを用いた高精度リアクティブイオンエッチング(RIE)技術をIII-V族混晶材料において確立し, RIEにより加工したGaAs基板表面にMOCVDによりシングルヘテロ CTJ型面発光素子を試作し加工法の評価を行い, その特性を明らかにした. GaAs/Si(111)界面形成初期過程において, 初期にGa, As何れかの原子でSiを被覆してもGaAs(111)面が成長し, 又, Gaで被覆したSi表面をAsに曝すと, Si-Ga結合が断ち切られSi-As結合が形成されることから, 界面での結合ではSi-As結合が支配的であることを明らかにした.
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