一次元極微構造半導体中の量子干渉効果と電子波エレクトロニクス
| Project/Area Number |
63306017
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
難波 進 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (70029370)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
榊 裕之 東京大学, 生産技術研, 助教授 (90013226)
古屋 一仁 東京工業大学, 工学部, 助教授 (40092572)
蒲生 健次 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (70029445)
浜口 智尋 大阪大学, 工学部, 教授 (40029004)
邑瀬 和生 大阪大学, 理学部, 教授 (50028164)
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| Project Period (FY) |
1988
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1988)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 1988: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | ナノメートル加工 / メゾスコピック現象 / アハラノフ・ボーム効果 / 量子干渉効果 / 電子波エレクトロニクス |
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| Research Abstract |
極微構造素子中では電子波の干渉が顕著となり、二次元ガスでは見られない種々の新しい量子効果が現れる。この解明は、"メゾスコピック物理"と呼ばれる新しい物理学の一分野となりつつある。また工学分野では、アハラノフ・ボーム効果素子、表面超格子素子などの新しいデバイスの開発が期待できる。このデバイスは、電子波の干渉を利用したもので、光導波路中の光波の干渉、伝播を利用した光波デバイスにたいし、電子波デバイスと呼べる画期的デバイスである。この分野の研究は物理学と工学の協力が必要であり、重点領域研究を組織して相互の協力のもとで進める必要がある。このため本研究を組織して、重点領域研究の計画のための調査研究を行なった。このため、以上のように民間研究機関および海外の研究者による講演も行なって広く情報収集を行なった。第1回昭和63年8月26日於東京、講演、第2回昭和63年11月16日於大阪、講演者およびタイトル:Light emission from hot carriers and degradation in Si MOS-EETs,F.Koch(ミュンヘン工科大学物理学科)、第3回平成元年2月15日於大阪、講演者およびタイトル:メゾスコピック構造の加工と応用、蒲生健次(阪大基礎工)、最近の化合物半導体原子層エピタキシーの発展、岩井荘八他(理研)他8件。特に第3回研究会は、一般の参加も呼びかけた結果、大学および民間から総計90名以上の参加があり、この分野での関心の高さがうかがえた。これらの調査研究を通じて重点領域研究の計画を立案し申請した。成果はさらに、平成元年度春季応用物理学会においてシンポジウムを企画して発表する予定である。
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Report
(1 results)
Research Products
(8 results)
