金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究

• Project/Area Number: 63306033
• Research Category: Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 平木 昭夫 大阪大学, 工学部, 教授 (50029013)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 中島 尚男 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20198071) ; 安田 幸夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (60126951) ; 大泊 厳 早稲田大学, 理工学部, 教授 (30063720) ; 寺倉 清之 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40028212) ; 菊田 惺志 東京大学, 工学部, 教授 (00010934)
• Project Period (FY): 1988
• Project Status: Completed (Fiscal Year 1988)
• Keywords: 金属ー半導体界面 / 界面反応 / 積層界面 / 半導体 / マイクロエレクトロニクス

Research Abstract

本研究は平成元年度よりスタートする重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」を滞りなく遂行し、充実した研究成果を得るための準備研究であり、本研究では、そのための企画・調査や研究会・討論会を行なった。
上記重点領域研究の目的は、21世紀に向けての超々LSIを中心とした、半導体マイクロエレクトロニクス発展の鍵を握る「金属ー半導体界面」を基礎的に解明し、その発展に必要な技術を開発することである。このために必要な学問分野を結集し、抜本的研究を遂行することにより、基礎学問および産業両面に貢献しようとするものである。そこで、本総合研究(B)の研究組織メンバーが中心となり、広い分野に亘る学界の研究者層および産業界の第一線の研究者層との間で討論を重ねることにより、問題点を整理し、研究方針の樹立に役立てた。中でも最も重要でかつ基本的問題は、「何故、例えば共有結合している強力な半導体の結合が、金属と接することにより、容易に破壊され、界面反応が生じるのか」と言うことであり、この解答を得ることにより、実用的には、例えばコンタクト特性の良い、制御された界面形成技術がもたらされることになる。新たに発足する重点領域研究の強力な研究遂行のため以下のような4つの主要研究課題をとりあげ、充実した実行的な研究体制と組織とを作り上げている:1.金属ー半導体積層界面の基礎、2.界面の作製とその精密制御、3.積層界面の評価と界面反応過程の解明、および4.界面反応の物理・化学。したがって、本総合研究(B)により、次年度からスタートする重点領域研究「金属ー半導体界面:マイクロエレクトロニクス発展への基礎研究」遂行の準備は滞りなく完了できた。