| Project/Area Number |
63550232
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
電子材料工学
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| Research Institution | Gifu University |
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Principal Investigator |
仁田 昌二 岐阜大学, 工学部, 教授 (90021584)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
野々村 修一 岐阜大学, 工学部, 助教授 (80164721)
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| Project Period (FY) |
1988 – 1989
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1988)
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| Budget Amount *help |
¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
Fiscal Year 1988: ¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
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| Keywords | アモルファス半導体超格子 / 井戸層ゆらぎ / 多重反射 / 高真空化 / 障壁層の酸化 / 基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置 |
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| Research Abstract |
基板回転型グロー放電アモルファス超格子作製装置の回転の自動化および科研で入手したターボ分子ポンプを使用した高真空化を行ない装置の改良を行なった。その構造と電子的性質について調べており、界面の改良のため(a)真空にさらす時間の制御、(b)水素放電にさらす時間の制御を行い、調べているところである。
また障壁層を作る際の基板温度が低いとき、障壁層が酸化されることがわかり、その改良も行なっている。
さらに井戸層の厚みのゆらぎがアモルファス半導体超格子に与える影響についてもX線と光学的性質によって調べ、各層での反射にもとづく多重反射が大きく電子的性質に影響することが明かになってきた。
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