光CVD法による酸化亜鉛薄膜の合成

Research Project

Project/Area Number	63550707
Research Category	Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
Allocation Type	Single-year Grants
Research Field	化学工学
Research Institution	Kyoto University
Principal Investigator	丸山敏朗京都大学, 工学部, 助手 (40026282)
Project Period (FY)	1988
Project Status	Completed (Fiscal Year 1988)
Budget Amount *help	¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,300,000) Fiscal Year 1988: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,300,000)
Keywords	酸化亜鉛 / 薄膜 / 光MOCVD法 / 成膜速度 / 有機金属 / ジメチル亜鉛
Research Abstract	有機金属化学気相成長(MOCVD)法によって、ジメチル亜鉛と二酸化炭素または酸素とから酸化亜鉛薄膜を形成する際の光照射の効果について実験的に研究し、以下の点を明らかにした。 1.基板温度200℃以上で、C軸配向性の強い多結晶薄膜が形成される。 2.光照射によって成膜速度を増加させることができる。 3.基板加熱なしの光化学反応のみによっては成膜できない。すなわちMOCVD法の律速過程は変化せず、反応の活性化エネルギーは大きく変化しない。 4.結晶化の転移温度も光照射によって変化せず、膜の表面形態、結晶の質、電気的特性などに対してもきわだったプラスの効果はない。 5.光照射による膜の抵抗率の変化は、光照射による成膜速度の変化に対応し、化学量論比のズレによるものと考えられる。 6.波長184.9nmの光は成膜を遅らせる働きをし、253.7nmの光は成膜を加速する方向に作用する。 7.成膜速度およびそれに対する光照射の効果は、反応器の形状に強く依存する。縦型反応器では光照射により成膜が加速される。一方、横型反応器では逆に光照射により成膜速度が低下する。以上のうち、6と7の興味深い知見については、さらに研究を堀り下げその機構を解明することが必要であると考えられる。