| Project/Area Number |
63603009
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
高橋 清 東工大, 工・電気電子, 教授 (10016313)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
坂田 忠良 分子研, 電子構造, 助教授 (40013510)
藤嶋 昭 東大, 工・合成化学, 教授 (30078307)
坪村 宏 阪大, 基工・合成化学, 教授 (20029367)
伊東 謙太郎 信州大学, 工・電子, 教授 (20020977)
竹田 美和 京大, 工・電気, 講師 (20111932)
梅野 正義 名工大, 工・電気情報, 教授 (90023077)
垂井 康夫 東農工大, 工・電子, 教授 (10143629)
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| Project Period (FY) |
1988
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1988)
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| Budget Amount *help |
¥40,100,000 (Direct Cost: ¥40,100,000)
Fiscal Year 1988: ¥40,100,000 (Direct Cost: ¥40,100,000)
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| Keywords | 太陽電池 / アモルファスSi / 光CVD |
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| Research Abstract |
(1)多層構造を利用した高効率太陽電池の、長波長域の変換には、InAlAs/InGaAsの組み合せが適しており、その形成を試みた結果、4.27%の変換効率が得られ、多層構造太陽電池の高効率化への可能性を明らかにした。
(2)Si上に2段階成長法、3段階成長法、並びにGaPを基材とした歪超格子を中間層に用いて、GaAsの成長を行い、太陽電池の材料として耐えるGaAs薄膜の形成が可能であることを明らかにした。
(3)薄膜で20%以上の効率達成が可能な組合せとして、aーSi/aーSiGe/CuInSe_2系3層タンデムが有望であるとこを明らかにした。また、光CVD法によるaーSi太陽電池の構造、成膜条件の最適化を進め、かつ新しいδドーピング技術を提案し、それらの有用性を実験的に明らかにした。
(4)光CVD法に基づく高効率アモルファス太陽電池用高品質膜材料の作製を行ない、光CVD法で、良好なSiC膜の形成に成功した。
(5)新しい太陽電池用材料として、スタナイト型4元加工物半導体薄膜の形成を試み、その電気・光学的性質を調ベ、薄膜太陽電池用材料として注目すべき材料であることを明らかにした。
(6)湿式太陽電池における光電極として、Si半導体電極に白金などの微小金属アイランドを、イオン・クラスター・ビーム蒸着法で形成し、この電極構造の有用性を明らかにした。
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