| Project/Area Number |
63609002
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
潮田 資勝 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (90176652)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
難波 孝夫 東北大学, 理学部物理学科, 助手 (30091721)
須賀 滋正 東京大学, 物性研究所, 助教授 (40107438)
河野 省三 東北大学, 理学部物理学科, 助教授 (60133930)
太田 俊明 広島大学, 理学部, 教授 (80011675)
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| Project Period (FY) |
1987 – 1989
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1988)
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| Budget Amount *help |
¥18,000,000 (Direct Cost: ¥18,000,000)
Fiscal Year 1988: ¥18,000,000 (Direct Cost: ¥18,000,000)
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| Keywords | ラマン散乱 / 赤外分光 / 光電子分光 / 逆行電子光 / 表面EXAFS / X線定在波法 / 表面再配列 / 吸着分子 / 金属・半導体初期界面 / インターカレーション |
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| Research Abstract |
光をプローブとした実験手段を使って固体表面の構造とダイナミックスの研究を行なった。各分担者は研究会などの機会を通じてお互いの連絡を密にし「表面新物質相」を総合的に理解することに努めた。
[潮田]Ni(111)面に吸着したニトロベンゼン分子層のラマン散乱から薄膜分子層の構造相転移を見つけた。金属及びガラス基板に吸着したローダミン6Gの蛍光の角度依存から分子配向と表面粗さを決定した。GaAs(110)/Cs面からの禁制LOフォノン散乱の強度から表面付近の電子エネルギーバンドの曲がりを測定した。
[太田]シンクロトロン放射光を用いた表面EXAFS法と軟X線定在波法によりSあるいはClを吸着させたNi(111)、Ni(100)の表面構造を解析し、表面再配列と表面緩和を詳細に検討した。
[河野]光電子分光,光電子回折により以下の金属・半導体初期界面の電子状態と原子配列を調べた。1)シングルドメインSi(001)2x1表面上のK、Cs吸着表面、2)負の電子親和力を呈するO/Cs/Sl(001)2x1表面、3)NEA表面O/Cs/GaAs(110)、4)Si(111)√<3>×√<3>-Ag表面。
[菅]Yb化合物の表面電子状態をシンクロトロン放射を用いた光電子分光法で研究した。逆行電子分光測定を行ない遷移金属M(Ni、Fe、etc)をインターカレートしたTiS_2らびにMを表面吸着させたTiS_2の表面電子状態について研究を行なった。
[難波]表面赤外分光研究用光源に放射光を利用することを具体的に検討する目的で、分子科学研究所の電子蓄積リングUVSORからの遠赤外及び赤外線強度を実測し、通常光源よりもその性能が数段優れていることを明らかにした。
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