| Project/Area Number |
63632006
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
後藤 俊夫 名古屋大学, 工学部, 教授 (50023255)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
平松 美根男 名城大学, 理工学部, 助手 (50199098)
岸本 茂 名古屋大学, 工学部, 教務員 (10186215)
河野 明広 名古屋大学, 工学部, 助教授 (40093025)
山田 千樫 分子科学研究所, 助手 (70037266)
広田 栄治 分子科学研究所, 教授 (30011464)
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| Project Period (FY) |
1988
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1988)
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| Budget Amount *help |
¥14,000,000 (Direct Cost: ¥14,000,000)
Fiscal Year 1988: ¥14,000,000 (Direct Cost: ¥14,000,000)
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| Keywords | シランプラズマ / 赤外半導体レーザー吸収法 / 可視レーザー誘起蛍光法 / SiHm非発光ラジカル / アモルファスシリコン / 反応速度定数 / 拡散定数 |
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| Research Abstract |
研究目的
反応生プラズマの物性的・定量的研究を行うには薄膜形成の前駆物質として重要な非発光ラジカルの密度を正確に測定する必要がある。しかしシランプラズマ内に多く存在するSiH_3やSiH_2非発光ラジカルの密度さえまだ測定されていない。本研究では赤外レーザー吸収法、可視及び紫外レーザー分光法(誘起蛍光法、吸収法)を用いたSiHm(m=0-3)非発光ラジカル密度(絶対値)の測定法を開発して、DC及びRFシランプラズマ内の密度測定及び反応速度定数測定等を行う。またそれらの結果を基により簡便な測定法を確立する。
63年度研究成果
現在までに次の成果を得、63年度当初の研究計画をすべて達成した。
1.赤外レーザー吸収法によるラジカル計測
(1)直流パルス変調を利用して、SiH_3非発光ラジカルの密度を世界で初めて測定することに成功し、その密度測定法を確立した。さらにこのラジカルの拡散係数及び反応速度定数を決定した。
(2)直流パルスプラズマ内のSiH非発光ラジカルの密度測定及び反応速度定数測定を行い、その測定法を確立した。
(3)SiH_2ν_2バンドの赤外スペクトルを測定・解析し、電子基底準位内の振動回転準位の分子定数を決定した。
2.可視レーザー分光法によるラジカル計測
レーザー誘起蛍光法による密度測定を行うためのYAGレーザー装置を購入し、それを含んだ密度測定装置の設計及び製作を行った。
上記1.の研究によりSiH〜SiH_3非発光ラジカルの同時測定が可能であることが示された。これはアモルファスシリコンの分野で大きな意味を持つと思われる。
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