ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明
Publicly Offered Research
| Project Area | Optoelectronics Frontier by Nitride Semiconductor -Ultimate Utilization of Nitride Semiconductor Material Potential- |
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| Project/Area Number |
21016002
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
米永 一郎 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20134041)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大野 裕 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (80243129)
徳本 有紀 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (20546866)
太子 敏則 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (90397307)
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| Project Period (FY) |
2009 – 2010
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2010)
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| Budget Amount *help |
¥7,000,000 (Direct Cost: ¥7,000,000)
Fiscal Year 2010: ¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
Fiscal Year 2009: ¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
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| Keywords | ナイトライド / 格子欠陥 / ナノ材料 / 結晶工学 / 結晶成長 / 転位 |
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| Research Abstract |
高機能ナイトライドの実現に向けた障害が転位欠陥であり、その発生の抑制・不活性化など材料制御技術の開発が焦眉の課題である。特に、我々は結晶成長時に他の点欠陥・不純物と反応していないフレッシュな転位を導入し、その転位自身の有する固有の電子・光学物性を解明することを主たる目的とする。本年度、以下の成果を得た。
(1)高温9000Cでの塑性変形によって導入されたフレッシュな転位を有するGaNについて、基底面上の転位は部分転位に拡張し、浅く非発光の電子準位を有すること、一方、柱面上の転位は拡張せず、深い発光性の準位を有する特徴を見出し、さらにそれらに基づいて化合物半導体中の転位の関する普遍的特性を明らかにした。
(2)同じく高温で塑性変形したGaN結晶について、陽電子消滅法による評価を行い、陽電子の消滅寿命が著しく増加すること、すなわち塑性変形によって高密の度空孔型点欠陥が導みされることを見出した。
(3)サファイア基板上に準備したGaNバッファ層から一定方位のGaN薄膜が優先的に成長する過程について、高分解能電子顕微鏡観察による結晶構造解析を行い、バッファ層中でc軸方位とa軸方位の結合ボンドの間でのミスボンディング機構が存在することを発見した。
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Report
(2 results)
Research Products
(20 results)
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[Journal Article] High-Quality p-Type ZnO Films Grown by Co-Doping of N and T on Zn-Face ZnO Substrates2010
Author(s)
S.Park, T.Minegishi, D.Oh, H Lee, T.Taishi, J.Park, M.Jung, J.Chang, I.Im, J.Ha, S.Hong, I.Yonenaga, T.Chikyow, T.Yao
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Journal Title
Applied Physics Express
Volume: 3
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[Journal Article] Investigation on the ZnO:N films grown on(0001)and(0001)ZnO templates by plasma-assilted molecular beam epitaxy2009
Author(s)
S.H.Park, J.H.Chang, T.Minegishi, J.S.Park, I.H.Im, M.Ito, T.Taishi, S.K.Hong, D.C.Oh, M.W.Cho, T.Yao
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Journal Title
Journal of Crystal Growth 311
Pages: 2167-2171
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