積層超高密度量子ドットにおける励起子発光増強機構の解明

• Project Area: Optical science of dynamically correlated electrons in semiconductors
• Project/Area Number: 21104515
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Science and Engineering
• Research Institution: Kobe University
• Principal Investigator: 小島 磨 神戸大学, 工学研究科, 助教 (00415845)
• Project Period (FY): 2009 – 2010
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2010)
• Budget Amount: ¥7,020,000 (Direct Cost: ¥5,400,000、Indirect Cost: ¥1,620,000); Fiscal Year 2010: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000); Fiscal Year 2009: ¥3,510,000 (Direct Cost: ¥2,700,000、Indirect Cost: ¥810,000)
• Keywords: 量子ドット / 多層積層 / 超格子 / 太陽電池 / Above Barrier Exciton

Research Abstract

本申請研究では、超高効率太陽電池への応用が期待される多層積層量子ドットを対象とし、バンドギャップエネルギーの2倍程度のエネルギーである可視光で励起した場合の光励起キャリアと励起子のダイナミクスを測定することで、共鳴的な発光増強の起源を明らかにすることを目的としている。平成22年度は、前年度に明らかにした高次の励起子準位のキャリアダイナミクスを明らかにすることを目的に研究を行った。試料には30層積層したInAs量子ドットを用いた。スペーサー層の厚さは40nmである。一般的なInAs量子ドットは、バンドギャップエネルギーが1.3μm近傍の波長帯に存在する。一方、0.6μm近傍に幅広いピークを有する光吸収帯が存在することを明らかにしている。この準位を励起した場合と、量子ドットの励起子エネルギー帯のみを励起した場合の発光ダイナミクスの変化を測定した。量子ドットの励起子準位を励起した場合と比べ、高次の準位を励起した場合、発光減衰時間が2倍程度に増加した。興味深いことに、この寿命は励起光エネルギーや検出エネルギーにはほとんど依存しない。このような長寿命な発光減衰時間となる原因として、Above Barrier励起子の効果を考えた。半導体超格子では、高次の準位の方がミニバンド幅が大きくなる。これは、励起子の空間的な広がりが大きくなることを意味している。また、歪み超格子では、障壁層側にキャリアが局在する効果が報告されていることから、障壁層からのキャリア移動時間のために発光減衰時間が長くなったと考えられる。40nmと比較的大きいスペーサー層の試料でこのような結果が得られたことは、無理に近接した量子ドットを作製しなくても成長方向の伝導経路を形成できることを意味しており、光デバイス応用において重要な知見になりうると考えている。

Research Products

• [Journal Article] Intraband relaxation process in highly stacked quantum dots (2011)
  • Author(s): O.Kojima
  • Journal Title: Physica Status Solidi C Volume: 8 Pages: 46-49
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Excitation power dependence of nonlinear optical response of excitons in GaAs/AlAs superlattices (2011)
  • Author(s): T.Yamashita
  • Journal Title: Physica Status Solidi C Volume: 8 Pages: 50-53
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Propagation velocity of excitonic polaritons confined in GaAs thin films (2011)
  • Author(s): O.Kojima
  • Journal Title: Physica Status Solidi C Volume: 8 Pages: 378-380
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Interaction between conduction-band edge and nitrogen-related localized levels in nitrogen δ-doped GaAs (2011)
  • Author(s): Y.Harada
  • Journal Title: Physica Status Solidi C Volume: 8 Pages: 365-367
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Bound biexciton luminescence in nitrogen δ-doped GaAs (2011)
  • Author(s): Y.Harada
  • Journal Title: Physica Status Solidi B Volume: 248 Pages: 464-467
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Dephasing of excitonic polaritons confined in GaAs thin films (2011)
  • Author(s): O.Kojima
  • Journal Title: Journal of the Physical Society of Japan Volume: 80
  • NAID: 40018753727
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Temperature dependence of photoluminescence characteristics of excitons in stacked quantum dots and quantum dot chains (2010)
  • Author(s): O.Kojima
  • Journal Title: Journal of Applied Physics Volume: 107
  • NAID: 120002139275
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Temperature-dependent carrier tunneling for self-assembled InAs/GaAs quantum dots with a GaAsN quantum well injector (2010)
  • Author(s): C.Jin
  • Journal Title: Applied Physics Letters Volume: 96
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Detailed Design and Characterization of All-Optical Switches Based on InAs/GaAs Quantum Dots in a Vertical Cavity (2010)
  • Author(s): C.Jin
  • Journal Title: IEEE Journal of Quantum Electronics Volume: 46 Pages: 1582-1589
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Temperature dependence of photoluminescence characteristics of excitons in stacked quantum dots and quantum dot chains (2010)
  • Author(s): O.Kojima
  • Journal Title: Journal of Applied Physics (未定)
  • NAID: 120002139275
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Transient reflectivity response with negative time delay caused by femtosecond pulse propagation in GaAs thin films (2009)
  • Author(s): S.Watanabe
  • Journal Title: physica status solidi C 6・S1
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Exciton response controlled by introducing a spacer layer in nitrided InAs quantum dots (2009)
  • Author(s): M.Mamizuka
  • Journal Title: physica status solidi C 6・S1
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Optical Kerr response to multi pump pulses on GaAs weakly confined exciton (2009)
  • Author(s): A.Kanno
  • Journal Title: physica status solidi C 6・6 Pages: 1509-1512
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Vertical-geometry all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a cavity (2009)
  • Author(s): C.Y.Jin
  • Journal Title: Applied Physics Letters 95・2
  • Peer Reviewed
• [Presentation] 多層積層量子ドット励起子とスペーサー層キャリアとの相関 (2011)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 日本物理学会第66回年次大会
  • Place of Presentation: 新潟大学(新潟県)
  • Year and Date: 2011-03-25
• [Presentation] GaAs/AlAs超格子における励起子非線形光学特性に対するミニバンド形成の効果 (2011)
  • Author(s): 山下太香恵
  • Organizer: 日本物理学会第66回年次大会
  • Place of Presentation: 新潟大学(新潟県)
  • Year and Date: 2011-03-25
• [Presentation] GaAs薄膜における励起子状態制御に対する空間電場コヒーレンス (2011)
  • Author(s): 五井恵太
  • Organizer: 日本物理学会第66回年次大会
  • Place of Presentation: 新潟大学(新潟県)
  • Year and Date: 2011-03-25
• [Presentation] シアニン色素薄膜におけるエネルギー移動の飽和のメカニズム (2011)
  • Author(s): 藤井良治
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学(神奈州県)
  • Year and Date: 2011-03-09
• [Presentation] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子の磁気光学特性 (2011)
  • Author(s): 原田幸弘
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • Year and Date: 2011-03-09
• [Presentation] 重心運動閉じ込め励起子の量子ビートの生成と検出 (2011)
  • Author(s): 大田翔平
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • Year and Date: 2011-03-09
• [Presentation] 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性 (2011)
  • Author(s): 原田幸弘
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • Year and Date: 2011-03-09
• [Presentation] 多層積層量子ドットにおける偏光特性の励起光強度依存性 (2011)
  • Author(s): 田中秀治
  • Organizer: 第58回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • Year and Date: 2011-03-09
• [Presentation] 超高速光スイッチに向けたGaAs閉じ込め励起子の非線形光学応答の制御 (2011)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 徳島大学第5回フロンティア研究センターシンポジウム
  • Place of Presentation: 徳島大学(徳島県)
  • Year and Date: 2011-02-10
• [Presentation] 積層超高密度量子ドットにおける励起子発光増強機構の解明 (2011)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 新学術領域研究「半導体における動的相関電子系の光科学」第4回シンポジウム
  • Place of Presentation: 京都大学(京都府)
  • Year and Date: 2011-01-07
• [Presentation] GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の光制御 (2010)
  • Author(s): 五井恵太
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-11
• [Presentation] 窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフト (2010)
  • Author(s): 原田幸弘
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-11
• [Presentation] 変調ドープGaAsにおけるコヒーレントプラズモンのドーピング濃度依存性 (2010)
  • Author(s): 阪本創
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-11
• [Presentation] 検出パルス制御によるGaAs薄膜中の閉じ込め励起子の超高速応答 (2010)
  • Author(s): 大田翔平
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-11
• [Presentation] GaAs中の窒素等電子トラップ束縛励起子の発光ダイナミクス (2010)
  • Author(s): 久保輝宜
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-11
• [Presentation] GaSb/AlGaSb多重量子井戸構造における発光特性 (2010)
  • Author(s): 加島正一
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-11
• [Presentation] シアニン色素薄膜におけるエネルギー移動に対するドナー-アクセプタ分子数比の効果 (2010)
  • Author(s): 藤井良治
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-11
• [Presentation] 積層超高密度量子ドットにおけるキャリアダイナミクス (2010)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-10
• [Presentation] 歪み補償積層量子ドットの光学異方性 (2010)
  • Author(s): 田中秀治
  • Organizer: 第21回光物性研究会論文集
  • Place of Presentation: 大阪市立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-12-10
• [Presentation] Effect of spectral width of probe pulses on response of excitons confined in GaAs thin films (2010)
  • Author(s): S.Ohta
  • Organizer: Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2010
  • Place of Presentation: 神戸大学(兵庫県)
  • Year and Date: 2010-12-02
• [Presentation] Biexcitonic contribution to nonlinear optical response of excitons in GaAs/AlAs superlattices (2010)
  • Author(s): T.Yamashita
  • Organizer: Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2010
  • Place of Presentation: 神戸大学(兵庫県)
  • Year and Date: 2010-12-02
• [Presentation] GaAs/AlAs超格子における励起子非線形光学応答特性に対する励起子分子の寄与 (2010)
  • Author(s): 山下太香恵
  • Organizer: 日本物理学会2010年秋季大会
  • Place of Presentation: 大阪府立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-09-25
• [Presentation] 高密度多層積層量子ドットにおけるキャリア移動 (2010)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 日本物理学会2010年秋季大会
  • Place of Presentation: 大阪府立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-09-25
• [Presentation] GaAs薄膜における閉じ込め励起子状態の制御性 (2010)
  • Author(s): 五井恵太
  • Organizer: 日本物理学会2010年秋季大会
  • Place of Presentation: 大阪府立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-09-25
• [Presentation] 変調ドープGaAsにおける長寿命コヒーレントプラズモン (2010)
  • Author(s): 阪本創
  • Organizer: 日本物理学会2010年秋季大会
  • Place of Presentation: 大阪府立大学(大阪府)
  • Year and Date: 2010-09-24
• [Presentation] GaAs薄膜におけるレーザースペクトル幅制御による励起子応答制御 (2010)
  • Author(s): 大田翔平
  • Organizer: 第71回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 長崎大学(長崎県)
  • Year and Date: 2010-09-16
• [Presentation] 積層量子ドットにおける偏光特性に対する電子的結合効果 (2010)
  • Author(s): 田中秀治
  • Organizer: 第71回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 長崎大学(長崎県)
  • Year and Date: 2010-09-16
• [Presentation] 多層積層量子ドットにおける高次励起子準位励起効果 (2010)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 第71回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 長崎大学(長崎県)
  • Year and Date: 2010-09-16
• [Presentation] 量子ドット太陽電池における吸収係数の理論的解析 (2010)
  • Author(s): 胡衛国
  • Organizer: 第71回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 長崎大学(長崎県)
  • Year and Date: 2010-09-15
• [Presentation] シアニン色素薄膜におけるエネルギー移動の高効率化 (2010)
  • Author(s): 藤井良治
  • Organizer: 第71回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 長崎大学(長崎県)
  • Year and Date: 2010-09-14
• [Presentation] Long-lived oscillation due to coherent plasmons in a modulation doped GaAs (2010)
  • Author(s): T.Sakamoto
  • Organizer: 第29回電子材料シンポジウム
  • Place of Presentation: ラフォーレ修善寺(静岡県)
  • Year and Date: 2010-07-15
• [Presentation] Bound biexciton luminescence in Nitrogen δ-doped GaAs (2010)
  • Author(s): Y.Harada
  • Organizer: 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials
  • Place of Presentation: Novotel Hotel, (Australia)
  • Year and Date: 2010-07-14
• [Presentation] Excitation power dependence of nonlinear optical response of excitons in GaAs/AlAs superlattices (2010)
  • Author(s): T.Yamashita
  • Organizer: 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials
  • Place of Presentation: Novotel Hotel, (Australia)
  • Year and Date: 2010-07-13
• [Presentation] Intraband relaxation process in highly stacked quantum dots (2010)
  • Author(s): O.Kojima
  • Organizer: 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials
  • Place of Presentation: Novotel Hotel, (Australia)
  • Year and Date: 2010-07-13
• [Presentation] Energy band structure design for quantum-dot, intermediate-band solar cells (2010)
  • Author(s): W.Hu
  • Organizer: 35th IEEE Photovoltaic Specialist Conference
  • Place of Presentation: Hawai'i Convention Center (USA)
  • Year and Date: 2010-06-21
• [Presentation] Intraband relaxation of photoexcited carriers in multiple stacked quantum dots and quantum dot chains (2010)
  • Author(s): O.Kojima
  • Organizer: 35th IEEE Photovoltaic Specialist Conference
  • Place of Presentation: Hawai'i Convention Center (USA)
  • Year and Date: 2010-06-21
• [Presentation] Interaction between conduction-band edge and Nitrogen-related localized levels in Nitrogen δ-doped GaAs (2010)
  • Author(s): Y.Harada
  • Organizer: 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • Place of Presentation: 高松シンボルタワー(香川県)
  • Year and Date: 2010-06-04
• [Presentation] Propagation velocity of excitonic polaritons confined in GaAs thin films (2010)
  • Author(s): O.Kojima
  • Organizer: 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • Place of Presentation: 高松シンボルタワー(香川県)
  • Year and Date: 2010-06-04
• [Presentation] All-optical switch using InAs quantum dots in a vertical cavity (2010)
  • Author(s): C.Y.Jin
  • Organizer: 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • Place of Presentation: 高松シンボルタワー(香川県)
  • Year and Date: 2010-06-04
• [Presentation] Energy band structure and half-filled condition in the quantum-dots intermediate band solar cells (2010)
  • Author(s): W.Hu
  • Organizer: 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • Place of Presentation: 高松シンボルタワー(香川県)
  • Year and Date: 2010-06-02
• [Presentation] 多層積層InAs量子ドットにおける励起子発光特性に対する熱的効果 (2010)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 特定領域研究「光-分子強結合反応場の創成」および新学術領域研究「半導体における動的相関電子系の光科学」合同シンポジウム
  • Place of Presentation: 日本科学未来館みらいCANホール(東京都)
  • Year and Date: 2010-05-27
• [Presentation] 多層積層量子ドットの発光特性とその制御 (2010)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 徳島大学大学院第4回フロンティア研究センターシンポジウム
  • Place of Presentation: 徳島大学
  • Year and Date: 2010-03-30
• [Presentation] GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子非線形光学応答の増強 (2010)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 日本物理学会第65回年次大会
  • Place of Presentation: 岡山大学
  • Year and Date: 2010-03-21
• [Presentation] 窒素をデルタドープしたGaAsにおける発光スペクトルの反磁性シフト (2010)
  • Author(s): 原田幸弘
  • Organizer: 日本物理学会第65回年次大会
  • Place of Presentation: 岡山大学
  • Year and Date: 2010-03-21
• [Presentation] GaAs/AlAa超格子における励起子非線形応答の励起光強度依存性 (2010)
  • Author(s): 山下太香恵
  • Organizer: 日本物理学会第65回年次大会
  • Place of Presentation: 岡山大学
  • Year and Date: 2010-03-21
• [Presentation] シアニン色素添加ポリマー薄膜におけるエネルギー移動特性の制御 (2010)
  • Author(s): 濱野将吾
  • Organizer: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] 積層量子ドットにおける光励起キャリアの緩和ダイナミクス (2010)
  • Author(s): 狸塚正貴
  • Organizer: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] GaAsN量子井戸からInAs量子ドットへのキャリアトンネリング特性 (2010)
  • Author(s): 大田翔平
  • Organizer: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] 窒素をデルタドープしたGaAsにおける電子状態の磁場依存性 (2010)
  • Author(s): 原田幸弘
  • Organizer: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] 中間バンド型量子ドット太陽電池のエネルギー変換効率に及ぼすバンド構造 (2010)
  • Author(s): 胡衛国
  • Organizer: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] 垂直共振器型量子ドット全光スイッチにおける2段階飽和 (2010)
  • Author(s): 金潮淵
  • Organizer: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • Place of Presentation: 東海大学
  • Year and Date: 2010-03-17
• [Presentation] 積層量子ドットにおけるキャリア緩和ダイナミクス (2010)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 第3回半導体における動的相関電子系の光科学シンポジウム
  • Place of Presentation: 京都大学
  • Year and Date: 2010-01-06
• [Presentation] シアニン色素添加ポリマー薄膜におけるエネルギー移動特性に対するスペクトル重なりの効果 (2009)
  • Author(s): 濱野将吾
  • Organizer: 第20回光物性研究会
  • Place of Presentation: 大阪市立大学
  • Year and Date: 2009-12-12
• [Presentation] GaAs薄膜における閉じ込め励起子の双極子モーメント (2009)
  • Author(s): 山下太香恵
  • Organizer: 第20回光物性研究会
  • Place of Presentation: 大阪市立大学
  • Year and Date: 2009-12-12
• [Presentation] GaAs中の窒素等電子束縛励起子における励起子ダイナミクス (2009)
  • Author(s): 原田幸弘
  • Organizer: 第20回光物性研究会
  • Place of Presentation: 大阪市立大学
  • Year and Date: 2009-12-12
• [Presentation] 歪み補償積層InAs量子ドットにおける面内励起子移動のバンド内緩和過程への効果 (2009)
  • Author(s): 狸塚正貴
  • Organizer: 第20回光物性研究会
  • Place of Presentation: 大阪市立大学
  • Year and Date: 2009-12-12
• [Presentation] Effects of in-plain exciton transfer on intraband relaxation process in stacked InAs quantum dots (2009)
  • Author(s): M.Mamizuka
  • Organizer: Workshop on Information, Nano and Photonics 2009
  • Place of Presentation: 神戸大学
  • Year and Date: 2009-12-01
• [Presentation] Direct impurity doping into self-assembled InAs/GaAs quantum dots (2009)
  • Author(s): K.Sasayama
  • Organizer: Workshop on Information, Nano and Photonics 2009
  • Place of Presentation: 神戸大学
  • Year and Date: 2009-12-01
• [Presentation] Effective Dipole moments of excitons in GaAs thin films (2009)
  • Author(s): T.Yamashita
  • Organizer: Workshop on Information, Nano and Photonics 2009
  • Place of Presentation: 神戸大学
  • Year and Date: 2009-12-01
• [Presentation] Optical nonlinearity of InAs quantum dots within a vertical cavity structure for all-optical switching devices (2009)
  • Author(s): C.Y.Jin
  • Organizer: Workshop on Information, Nano and Photonics 2009
  • Place of Presentation: 神戸大学
  • Year and Date: 2009-12-01
• [Presentation] Temperature dependent carrier tunneling in self-assembled InGaAs quantum dots with a dilute nitride quantum-well injector (2009)
  • Author(s): S.Ohta
  • Organizer: Workshop on Information, Nano and Photonica 2009
  • Place of Presentation: 神戸大学
  • Year and Date: 2009-12-01
• [Presentation] Energy band structure for intermediate band solar cells (2009)
  • Author(s): W.Hu
  • Organizer: Workshop on Information, Nano and Photonics 2009
  • Place of Presentation: 神戸大学
  • Year and Date: 2009-12-01
• [Presentation] Thermal effects on exciton dynamics in quantum dot chains (2009)
  • Author(s): O.Kojima
  • Organizer: International Symposium on Quantum Nanophotonics and Nanoelectronics
  • Place of Presentation: 東京大学駒場リサーチキャンパス
  • Year and Date: 2009-11-18
• [Presentation] GaAg薄膜の励起子非線形光学応答制御における第一パルス光強度依存性 (2009)
  • Author(s): 山下太香恵
  • Organizer: 日本物理学会2009年秋季大会
  • Place of Presentation: 熊本大学
  • Year and Date: 2009-09-27
• [Presentation] GaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーション (2009)
  • Author(s): 原田幸弘
  • Organizer: 日本物理学会2009年秋季大会
  • Place of Presentation: 熊本大学
  • Year and Date: 2009-09-27
• [Presentation] GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子非線形光学応答の増強 (2009)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 日本物理学会2009年秋季大会
  • Place of Presentation: 熊本大学
  • Year and Date: 2009-09-26
• [Presentation] 量子ドット埋め込面型共振器光スイッチにおけるサブバンド間緩和の効果 (2009)
  • Author(s): 金潮淵
  • Organizer: 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
  • Year and Date: 2009-09-11
• [Presentation] InAs/GaAs量子ドットの積層構造による端面発光の偏波制御 (2009)
  • Author(s): 井上知也
  • Organizer: 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
  • Year and Date: 2009-09-10
• [Presentation] シアニン色素薄膜におけるフェルスター型エネルギー移動による励起子緩和特性の制御 (2009)
  • Author(s): 濱野将吾
  • Organizer: 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
  • Year and Date: 2009-09-09
• [Presentation] GaAs/AlAs多重量子井戸における励起子非線形光学特性の制御 (2009)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
  • Year and Date: 2009-09-09
• [Presentation] SiダイレクトドーピングしたInAs量子ドットにおけるキャリア補償効果 (2009)
  • Author(s): 笹山憲吾
  • Organizer: 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
  • Year and Date: 2009-09-09
• [Presentation] 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子分子発光 (2009)
  • Author(s): 原田幸弘
  • Organizer: 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
  • Year and Date: 2009-09-08
• [Presentation] 量子ドット埋め込み面型非対称共振器を用いた超高速全光スイッチ (2009)
  • Author(s): 金潮淵
  • Organizer: 第70回応用物理学会学術講演会
  • Place of Presentation: 富山大学
  • Year and Date: 2009-09-08
• [Presentation] Enhancement of optical nonlinearity by spatially expanded excitons in GaAs/AlAs multiple quantum wells (2009)
  • Author(s): O.Kojima
  • Organizer: 16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronica and Nanostructures
  • Place of Presentation: Le Corum de Montpellier, France
  • Year and Date: 2009-08-28
• [Presentation] 積層超高密度量子ドットにおける励起子発光増強 (2009)
  • Author(s): 小島磨
  • Organizer: 第2回半導体における動的相関電子系の光科学シンポジウム
  • Place of Presentation: 京都大学
  • Year and Date: 2009-08-20
• [Presentation] Polarization controlled emission from stacked InAs quantum dots (2009)
  • Author(s): T.Inoue
  • Organizer: 14th International Conferenceon Modulated Semiconductor structures
  • Place of Presentation: 神戸国際会議場
  • Year and Date: 2009-07-21
• [Presentation] All-optical switching using InAs/GaAs quantum dots within a vertical cavity structure (2009)
  • Author(s): C.Y.Jin
  • Organizer: 14th International Conferenceon Modulated Semiconductor structures
  • Place of Presentation: 神戸国際会議場
  • Year and Date: 2009-07-21
• [Presentation] Spatial coherence effect on transient response of confined excitons in GaAs thin films (2009)
  • Author(s): O.Kojima
  • Organizer: 14th International Conferenceon Modulated Semiconductor structures
  • Place of Presentation: 神戸国際会議場
  • Year and Date: 2009-07-21
• [Presentation] Resonant enhancement of excitonic photoluminescence via biexciton process in stacked InAs quantum dots (2009)
  • Author(s): M.Mamizuka
  • Organizer: 14th International Conference on Modulated Semconductor structures
  • Place of Presentation: 神戸国際会議場
  • Year and Date: 2009-07-20
• [Presentation] Magnetic-field control of exciton fine structure splitting in nitrogen δ-doped GaAs (2009)
  • Author(s): Y.Harada
  • Organizer: 14th International Conferenceon Modulated Semiconductor structures
  • Place of Presentation: 神戸国際会議場
  • Year and Date: 2009-07-20
• [Presentation] Multiband optical absorption in stacked InAs quantum dots (2009)
  • Author(s): M.Mamizuka
  • Organizer: 第28回電子材料シンポジウム
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖
  • Year and Date: 2009-07-10
• [Presentation] Magnetic-field control of the exciton fine polarization splitting of nitrogen pair centers in GaAs (2009)
  • Author(s): Y.Harada
  • Organizer: 第28回電子材料シンポジウム
  • Place of Presentation: ラフォーレ琵琶湖
  • Year and Date: 2009-07-08
• [Book] High-Power and Femtosecond Lasers : Properties, Materials and Applications (Short Communication : Dynamics of Excitons Confined in Semiconductor Thin Films) (2009)
  • Author(s): Osamu Kojima
  • Total Pages: 14
  • Publisher: Nova Science Publishers, Inc.
• [Remarks]
  • URL: http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/kojima/Kojima.htm
• [Patent(Industrial Property Rights)] 超高速光スイッチ (2010)
  • Inventor(s): 小島磨, 太田政之, 井須俊朗
  • Industrial Property Rights Holder: 神戸大学, 徳島大学
  • Industrial Property Number: 2010-136651
  • Filing Date: 2010-06-15
• [Patent(Industrial Property Rights)] 非線形光学素子 (2010)
  • Inventor(s): 小島磨, 山下太香恵
  • Industrial Property Rights Holder: 神戸大学
  • Industrial Property Number: 2010-157376
  • Filing Date: 2010-07-10
• [Patent(Industrial Property Rights)] テラヘルツ電磁波発生源、テラヘルツ電磁波発生装置 (2010)
  • Inventor(s): 小島磨, 阪本創, 井上智也
  • Industrial Property Rights Holder: 神戸大学
  • Industrial Property Number: 2010-158799
  • Filing Date: 2010-07-13