Publicly Offered Research
Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)
本研究では、代表者らが明らかにしたスピン三重項超伝導体CuxBi2Se3やK2Cr3As3における電子対液晶状態を外部磁場によって制御し、その物性や液晶状態の形成メカリズムを核磁気共鳴(NMR)や角度分解帯磁率等の精密測定によって明らかにする。スピン三重項超伝導体では、電子対を特徴付けるdベクトルは液晶状態のデイレクタ方向を定め、外部磁場と結合する。本研究では、異なる磁場下における電子対液晶状態のデイレクタとその変化に伴う物性を解明する。