Publicly Offered Research
Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas (Research in a proposed research area)
本研究は,機能コアとしてエピタキシャル薄膜における格子欠陥に着目する。単結晶基板上に目的の物質を成長させるエピタキシャル薄膜成長技術を用いると,物質を高品質な単結晶試料として合成できる。しかしながら,熱力学的平衡プロセスを利用するバルク単結晶成長と異なり,エピタキシャル薄膜ではしばしば”不完全性を含む高品質な結晶”が合成される。特定の材料系では,そのような状況が成り立った時に限り極めて有用な電子物性が発現する。本研究では”不完全性を理想的に制御できる”エピタキシャル薄膜を活用することで,この不完全性を意図的に導入,制御することによってそれが発現する電子機能をシステマティックに取り扱う。