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大気・熱安定性に優れる14族2.5次元物質の創製と熱電応用への展開

Publicly Offered Research

Project AreaScience of 2.5 Dimensional Materials: Paradigm Shift of Materials Science Toward Future Social Innovation
Project/Area Number 22H05456
Research Category

Grant-in-Aid for Transformative Research Areas (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Review Section Transformative Research Areas, Section (II)
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

黒澤 昌志  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (40715439)

Project Period (FY) 2022-06-16 – 2024-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2023)
Budget Amount *help
¥6,760,000 (Direct Cost: ¥5,200,000、Indirect Cost: ¥1,560,000)
Fiscal Year 2023: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
Fiscal Year 2022: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
Keywordsゲルマニウム / シリコン / ナノシート / 大気安定性 / 熱安定性 / 熱電応用 / 二次元物質
Outline of Research at the Start

14族2.5次元物質(グラフェンの炭素原子をシリコン、ゲルマニウム、スズに置換した二次元物質:シリセン、ゲルマネン、スタネン)は、超高真空中で導電性基板上でのみ、その合成に成功しており、理論的に予測されている卓越した物性を応用するには至っていない。この課題解決に向けて、今回の公募研究ではゲルマネンの物性計測やデバイス応用に資する構造(大気・熱安定性に優れる薄膜を絶縁膜上に合成すること)を早期に実現するとともに、熱電物性を世界に先駆け解明しその応用可能性を議論する。

Outline of Annual Research Achievements

本年度得られた主な成果を以下に示す。
(1)カルシウムシリサイド(CaSi2)薄膜の合成および熱電物性評価:スパッタリング法を用い、高抵抗Si(111)基板上にCaSi2薄膜の形成を試みた。6R-CaSi2 006, 0012, 0015, 0018に帰属されるX線回折ピークが観測された。6R-CaSi2 0012のピーク位置からc軸長を算出したところバルク(3.060 nm)に対して0.2%大きな値が得られた。これは6R-CaSi2薄膜とSi基板の間に存在する格子ミスマッチ(~4%)に由来すると考えられる。熱電物性を室温で測定したところ、パワーファクターは9.6 μV/cmK2と先行研究に比べると低い値であったが、低温領域においてフォノンドラッグ起因のゼーベック係数の増大が見られることを発見した。
(2)水素修飾ゲルマネン(GeH)薄膜の熱安定性評価:Ge(111)基板上に合成したGeH薄膜試料を用い、水素脱離する際の加熱条件と結晶構造の相関をX線回折法により調査した。超高真空中では300℃程度までの加熱であれば、当該材料特有の層状構造が破壊されないことが判明した。先行研究の熱安定性(H2/Ar雰囲気中では75℃で非晶質化)を大きく上回る、インパクトある成果である。

Research Progress Status

令和5年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

令和5年度が最終年度であるため、記入しない。

Report

(2 results)
  • 2023 Annual Research Report
  • 2022 Annual Research Report
  • Research Products

    (12 results)

All 2024 2023 2022

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (10 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results,  Invited: 3 results)

  • [Journal Article] Tensile-strained Ge1-xSnx layers on Si(001) substrate by solid-phase epitaxy featuring seed layer introduction2024

    • Author(s)
      Hiraide Tatsuma、Shibayama Shigehisa、Kurosawa Masashi、Sakashita Mitsuo、Nakatsuka Osamu
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 63 Issue: 4 Pages: 045505-045505

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ad358f

    • Related Report
      2023 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Heteroepitaxial growth of CaGe2 films on high-resistivity Si(111) substrates and its application for germanane synthesizing2023

    • Author(s)
      Okada Kazuya、Shibayama Shigehisa、Sakashita Mitsuo、Nakatsuka Osamu、Kurosawa Masashi
    • Journal Title

      Materials Science in Semiconductor Processing

      Volume: 161 Pages: 107462-107462

    • DOI

      10.1016/j.mssp.2023.107462

    • Related Report
      2023 Annual Research Report 2022 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価2024

    • Author(s)
      加藤高, 柴山茂久, 坂下満男 , 中塚理, 片瀬貴義, 黒澤昌志
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
  • [Presentation] 真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化2024

    • Author(s)
      松本一歩, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
    • Organizer
      第71回応用物理学会春季学術講演会
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
  • [Presentation] Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films2023

    • Author(s)
      M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • Organizer
      The Joint ISDTM/ICSI conference 2023
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] First-principles study on two-dimensional materials of silicon/germanium2023

    • Author(s)
      M. Araidai, M. Itoh, D. Ishihara, M. Kurosawa, A. Ohta, A. Yamakage, and K. Shiraishi
    • Organizer
      2023年日本表面真空学会学術講演会
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
  • [Presentation] 粉末シリカンとゲルマナンの電気的特性評価2023

    • Author(s)
      大西康介, 上田光秀, 山田繁, 伊藤貴司, 黒澤昌志
    • Organizer
      第10回 応用物理学会 名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
  • [Presentation] A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing2023

    • Author(s)
      M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
    • Organizer
      14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • Related Report
      2023 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Molecular beam epitaxy of CaGe2 layers on Si(111) substrate2022

    • Author(s)
      K. Okada, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa
    • Organizer
      9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成2022

    • Author(s)
      伊藤善常, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
    • Organizer
      第83回応用物理学会秋季学術講演会
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
  • [Presentation] 14 族半導体ナノシートの結晶成長とデバイス応用2022

    • Author(s)
      黒澤昌志
    • Organizer
      2022年度 東海NFRW・若手チャプタージョイントワークショップ
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Invited
  • [Presentation] Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets2022

    • Author(s)
      M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. O. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka
    • Organizer
      33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)
    • Related Report
      2022 Annual Research Report
    • Int'l Joint Research

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Published: 2022-06-20   Modified: 2024-12-25  

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